朱仁江
,
孔春阳
,
秦国平
,
王楠
,
戴特力
,
方亮
材料导报
采用离子注入技术对射频磁控溅射制备的ZnO薄膜进行N掺杂,通过退火实现了ZnO薄膜的p型转变.利用X射线衍射(XRD)和Hall实验对样品热退火前后的性能进行了研究.实验数据表明,该掺杂方法能得到稳定的p型ZnO薄膜,其电学性能随热退火温度的升高和时间的延长而进一步改善,其中在950℃、7min退火条件时,载流子浓度为1.68E+16cm-3,电阻率为41.5Ω·cm.
关键词:
氧化锌薄膜
,
p型
,
离子注入
,
制备
朱仁江
,
孔春阳
,
马勇
,
王万录
,
廖克俊
材料导报
ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键.概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题.
关键词:
氧化锌
,
p型掺杂
,
共掺杂
,
V族元素
