朱佐祥
,
彭伟
,
尚福亮
,
高玲
,
杨海涛
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.03.042
采用真空烧结方法制备了Nb2O5∶TiO2(NTO)的陶瓷靶材,研究了在7.5%(质量分数)掺杂量下不同烧结温度对NTO陶瓷靶材的微观结构、表面形貌、电学性能、致密度和抗弯强度的影响.通过对NTO靶材的各项性能进行了表征分析表征,实验结果表明,当烧结温度在1 150 ℃,掺杂量在7.5%(质量分数)时,所制备的陶瓷靶材各项性能最优,其各项性能指标均表现良好,其电阻率为3.420 mΩ·cm,抗弯强度为129.24 MPa,其致密度为94.30%.表明此时所制备的NTO陶瓷靶材更加适合于实际工业应用.
关键词:
靶材
,
掺杂
,
烧结温度
,
透明导电薄膜
