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蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜反应机理研究

王剑屏 , 郝跃 , 彭军 , 朱作云 , 张永华 , 宋国乡

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.014

对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出"汽相结晶"过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,在SiC薄膜的生长过程中,对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素.这很好地解释了薄膜生长过程中出现的异常现象.

关键词: 碳化硅 , 化学汽相淀积 , 异质外延 , 汽相外延

多晶碳化硅的氧化技术研究

李跃进 , 杨银堂 , 贾护军 , 朱作云 , 柴常春

功能材料

本文研究了1050～1250℃温度下干氧和湿氧中多晶sic/si材料的氧化规律,讨论了氧化层厚度与时间、温度、气氛的关系,用Auger电子能谱仪对薄膜成分进行了分析.

关键词: 多晶碳化硅 , 热氧化 , 温度 , 二氧化硅

硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

贾护军 , 杨银堂 , 朱作云 , 李跃进

无机材料学报

采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在１０００～１４００℃温度范围内的（１００）Ｓｉ衬底上进行了β－ＳｉＣ薄膜的异质外延生长．实验结果表明，随着淀积温度的升高，外延层由多晶硅向β－ＳｉＣ单晶转变，结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降．

关键词: 外延生长 , deposition temperature , crystallinity , null

硅基β-SiC薄膜外延生长的温度依赖关系研究

贾护军 , 杨银堂 , 朱作云 , 李跃进

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.01.023

采用常压化学气相淀积(APCVD)工艺在1000～1400C温度范围内的(100)Si衬底上进行了β-SiC薄膜的异质外延生长.实验结果表明,随着淀积温度的升高,外延层由多晶硅向β-SiC单晶转变,结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降.

关键词: 外延生长 , β-SiC薄膜 , 淀积温度 , 结晶度

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