黄新民
,
任鑫
,
朱泓
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.03.025
以多孔氧化铝膜为模板,电化学沉积出Zn纳米线,再通过高温氧化得到ZnO纳米线阵列.通过改变制备多孔氧化铝模板的工艺参数来改变模板纳米孔径,进而改变ZnO纳米线的直径,得到不同形态的ZnO纳米线阵列.应用X射线衍射仪、透射电子显微镜测试技术表征了ZnO纳米线的结构与形貌.结果发现,X射线衍射时会出现随ZnO纳米线直径增大衍射峰增多和增强的现象.采用荧光光谱仪测试样品的光致发光性能,通过Gaussian原理对谱峰的拟合分析了ZnO纳米线形态对其光致发光光谱的影响.结果表明,随着纳米线直径从30 nm至60 nm依次增大.其结晶性和化学计量比逐渐变好.近紫外区和蓝光区的发射峰随着纳米线直径的增大而蓝移,而纳米线直径为60 nm的样品则出现随直径增大而红移的现象.结果可见,直径在55~60 nm间的某点将是ZnO纳米线的结构和光致发光性能变化的临界点.
关键词:
纳米材料
,
ZnO纳米线
,
光致发光
,
多孔氧化铝膜