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用smart-cut方法制备GOI材料及研究

詹达 , 马小波 , 刘卫丽 , 朱鸣 , 宋志棠

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.003

研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落.利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge片与热生长SiO2片的键合,通过热处理完成SiO2上的Ge薄膜转移,形成了GOI(Germanium-on-insulator)结构.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、以及X射线四晶衍射对GOI的微结构进行了表征和分析.研究表明,获得的GOI中顶层Ge具有较好的晶体质量,锗和二氧化硅埋层界面陡直.

关键词: GOI , smart-cut , 键合

SOI的自加热效应与SOI新结构的研究

林青 , 谢欣云 , 朱鸣 , 张苗 , 林成鲁

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.024

阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等.结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展.

关键词: 自加热效应 , 沟道电流 , 跨导畸变 , 负微分迁移率 , SOI新结构

SOI器件中浮体效应的研究进展

朱鸣 , 林成鲁 , 邢昆山

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.019

SOI(Silicon On Insulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能.本文阐述了浮体效应产生的原因以及它对SOI器件和电路的影响,并从体接触和工艺角度两个方面介绍了目前国际上比较优异的抑制浮体效应的几种典型器件结构.

关键词: 浮体效应 , 翘曲效应 , 寄生双极晶体管效应 , SOI器件

耐热切通性优异的辐照交联高密度聚乙烯绝缘料的研究

朱爱荣 , 曹晓珑 , 朱鸣

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2000.03.002

高密度聚乙烯树脂具有优良的电气性能和物理机械性能,电子束辐照交联又可赋予它突出的耐热切通性,因此是电器高压薄绝缘引接线绝缘的理想树脂材料.但高密度聚乙烯辐照交联过程中,拉伸强度及断裂伸长率下降很快,常常不能满足电线产品的要求.本文先对高密度聚乙烯树脂进行共混改性,再进行辐照交联,制出适合于挤出工艺要求的电气性能、耐热切通性均很优异的辐照交联高密度聚乙烯绝缘料.

关键词: 耐热切通性 , 辐照 , 高密度聚乙烯 , 共混改性

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