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采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜

崔勇国 , 张源涛 , 朱慧超 , 张宝林 , 李万程 , 杜国同

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.035

采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜.随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜.该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的.与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性.对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层.

关键词: 金属有机化学汽相沉积 , ZnO薄膜 , 半导体材料

α(β)-四苯氧基酞菁锌的合成、表征和发光性能

白青龙 , 张春花 , 程传辉 , 李万程 , 杜国同

应用化学 doi:10.3724/SP.J.1095.2012.00271

以3(4)-硝基邻苯二腈和苯酚为原料,经过两步反应合成了α(β)-四苯氧基酞菁锌,通过红外光谱、紫外光谱、核磁共振谱、质谱和元素分析表征了其结构,比较研究其光谱性质.并以旋涂发光层的方法制备了电致发光器件,研究其电致发光性质.固态酞菁材料的光致发光波长红移到866~930nm范围内的近红外波段,β-位取代酞菁发光波长红移的程度比α-位取代酞菁大.2种器件电致发光波长和酞菁固体材料的光致发光波长较接近,分别在880和885nm处.

关键词: 苯氧基酞菁锌 , 合成 , 光致发光 , 电致发光 , 红移

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