李世直
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徐翔
金属学报
采用直流等离子体化学气相沉积技术,在高速钢、Si(100)和Si(111)基体上沉积TiN膜,并对膜的晶体结构、表面形貌、断口结构、显微硬度、氯含量等进行了测定和分析,部分样品进行了二次离子质谱(SIMS)、Auger谱(AES)和X光光电子谱(ESCA)等分析.试验表明:在不同基材上沉积的TiN膜,只要沉积参数相同,膜的结构和性能都相同.在沉积温度500℃左右,TiN膜的生长方式有一转变,即可能是由层生长转变为岛状生长.直流PCVD法生成的TiN膜,其N:Ti≈1:1,有强的(200)织构,膜与基体间有较宽的共混区,因而结合强度高和耐磨性好,适于用作耐磨镀层.
关键词:
等离子体化学气相沉积
,
TiN film
李朝升
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王先平
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方前锋
,
S.Veprek
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李世直
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.019
利用振簧技术测量了不同退火状态下的nc-TiN/a-Si3N4超硬薄膜的Young's模量和内耗随温度的变化关系.在280-300℃附近观察到一个弛豫内耗峰.随着退火温度的升高,该内耗峰逐渐减弱,而Young's模量变化不大.750℃退火后,该内耗峰消失,而模量却从未退火时的430 GPa激增至530 GPa.初步认为该内耗峰来源于非稳定界面的弛豫过程.
关键词:
纳米TiN/非晶Si3N4薄膜
,
内耗
,
Young's模量
,
非稳定界面
赵程
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彭红瑞
,
李世直
金属学报
用XPS,AES,XRD,SEM及显微硬度计分析和测试了不同成分的等离子体化学气相沉积(PCVD)Ti—N—C膜,并与PCVD一TiN膜比较。认为:Ti—N—C膜优异的耐磨性可归因于高显微硬度及致密的结构。AES及XPS分析结果表明,Ti—N—C与TiN膜表面吸附的氧原子价态不同,其决定因素是膜晶格中是否有足够的碳原子存在。氧吸附态的不同可能导致不同的磨损失效方式。
关键词:
等离子体化学气相沉积(PCVD)
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Ti-N-C film
,
TiN film
