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电子束熔炼Inconel 740合金不同热处理状态下的组织演变与显微硬度

谭毅 , 廖娇 , 李佳艳 , 石爽 , 王清 , 游小刚 , 李鹏廷 , 姜辛

材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.04.004

利用电子束熔炼技术制备Inconel 740合金,研究热处理状态下合金的组织演变过程与显微硬度的分布情况,分析热处理过程中合金相析出规律与相分布特点.结果表明:合金宏观组织良好,夹杂物含量较少,晶粒尺寸在2mm左右.标准热处理后的组织主要为奥氏体,并有大量孪晶,晶界上碳化物M23C6呈连续分布,同时也有G相和η相析出.晶内析出大量球形、尺寸大小约为30nm的强化相γ'.电子束熔炼制备的Inconel 740合金在标准热处理状态下的显微硬度明显高于传统方法制备的同种合金,约高120HV0.1.

关键词: 电子束熔炼 , Inconel 740合金 , 组织 , 显微硬度

锡添加对硅铝合金铸锭中初晶硅枝晶宽度及回收率的影响

李佳艳 , 曹盼盼 , 刘瑶 , 李亚琼 , 贾朋军 , 倪萍 , 谭毅

机械工程材料 doi:10.11973/jxgccl201609004

通过在硅铝合金熔体中添加不同原子分数(0,10%,20%,30%)的锡制备了合金铸锭,研究了锡的添加对该合金铸锭中初晶硅枝晶宽度及回收率的影响.结果表明:初晶硅枝晶宽度随着锡含量的增加而增大,当合金铸锭中硅原子分数为31.86%、锡原子分数由0增至30%时,初晶硅平均枝晶宽度由490μm增大至710μm;较低硅含量合金铸锭中的初晶硅枝晶宽度较大,锡的添加对枝晶宽度的增大效果也更明显;初晶硅的回收率随着锡含量的增加而增大,当锡原子分数由0增至30%时,实际回收率由62%增至85%.

关键词: , 初晶硅 , 枝晶宽度 , 回收率

多晶硅精炼提纯过程中铝硅合金的低温电解分离

李佳艳 , 李超超 , 李亚琼 , 谭毅

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2013.11.001

选用AlCl3-NaCl-KCl作为电解液,铝硅合金作为阳极、不锈钢作为阴极,恒电流电解条件下实现了多晶硅精炼提纯中硅铝合金的低温分离.结合扫描电子显微镜、X射线衍射仪等检测手段,研究电解温度、电流密度、电解时间等实验参数对电流效率、沉积铝形貌的影响.研究结果表明:在电流密度为50mA/cm2,电解温度200℃,电解时间60min的条件下,Si-50% Al(质量分数,下同)阳极合金经阳极腐蚀后,阴极电极效率达到最大值93.7%,富硅阳极泥中含有90.4%的多晶硅.

关键词: 精炼 , 多晶硅 , 低温熔盐 , , 分离

腐蚀时间对多孔硅层形貌及多晶硅性能的影响

解希玲 , 谭毅 , 李佳艳 , 董伟 , 刘艳娇 , 邹清川

机械工程材料

采用化学腐蚀方法在多晶硅表面制备多孔硅层,通过外吸杂热处理方法进行除杂后对腐蚀不同时间后多孔硅层的形貌、多晶硅少子寿命和电阻率等进行了研究。结果表明:随着腐蚀时间的延长,形成的多孔硅层呈现不同的形貌,多孔壁孔径逐渐变大,少子寿命延长且电阻率增大;腐蚀14min后。多孔硅层局部区域坍塌,孔壁变薄;腐蚀11min时,经850℃吸杂处理的多孔硅层少子寿命和电阻率达到峰值,分别为0.98μs和0.16Ω·cm。

关键词: 多孔硅 , 多晶硅 , 化学腐蚀 , 电阻率 , 少子寿命

液流电池用PAN碳毡材料的改性

张欢 , 谭毅 , 施伟 , 李佳艳

材料导报

液流电池是实现可再生能源大规模应用的新型绿色二次电池,其中电极材料的性能对于液流电池的实际应用具有重要意义.聚丙烯腈基(PAN)碳毡是液流电池的首选电极材料,为了进一步提高PAN碳毡电极材料的亲水性和电化学活性,近些年有关PAN碳毡的改性研究成为了热点.介绍了液流电池的工作原理及其电极材料,着重介绍了液流电池用改性PAN碳毡电极材料的研究现状,并展望了制备PAN碳毡电极材料的发展趋势.

关键词: PAN碳毡 , 电极材料 , 改性 , 液流电池 , 电池性能

烧结助剂添加方式对AIN陶瓷力学性能的影响

许富民 , 李佳艳 , 张志军 , 石小磊 , 李晓娜 , 谭毅

机械工程材料

通过直接添加与原位生成两种方式引入Y2O3作为烧结助剂,热压烧结制备了A1N陶瓷;研究了添加方式及添加量对AlN陶瓷显微结构和力学性能的影响。结果表明:原位生成烧结助剂的方式更有利于A1N陶瓷的致密化,特别是当原位生成的YzO。质量分数为2%时,AlN陶瓷的相对密度达到99.0%,硬度为15.39GPa,抗弯强度为383.0MPa,均高于直接添加Y20。的;同时可获得晶形完整、第二相含量少且大部分位于三叉晶界、晶粒间面一面接触的显微结构;随着原位生成烧结助剂添加量的增多,陶瓷的相对密度下降,在A1N晶界处出现大量第二相而导致陶瓷的硬度、抗弯强度等力学性能也下降。

关键词: AlN陶瓷 , 原位生成 , 烧结助剂 , 力学性能

多孔硅吸杂对单晶硅片电性能的影响

李佳艳 , 游小刚 , 谭毅 , 郭素霞

人工晶体学报

多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅.通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效果的影响,并分析多孔硅吸杂的机理.结果表明,在J=100 mA/cm2条件下腐蚀时间为30 min、40 min、50 min、60 min吸杂处理后,电阻率均提高,且随着腐蚀时间的增加,电阻率相应增加,与多孔硅的形貌、孔隙率和多孔层厚度的变化趋势一致.多孔硅形成伴随弹性机械应力出现,随腐蚀时间增加,应力增加,晶格常数相应增加,这都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.

关键词: 多孔硅 , 电化学腐蚀 , 吸杂 , 电阻率

造渣精炼去除多晶硅中B杂质的研究

张磊 , 谭毅 , 许富民 , 李佳艳

材料导报

以现有实验成果为基础,采用相关热力学及动力学分析,综述了造渣精炼去除多晶硅中B杂质的原理、影响因素及发展现状,总结了国内外已有研究结果,为进一步研究提供了理论依据.

关键词: 太阳能级多晶硅 , 造渣精炼 , 提纯

硅蒸镀法制备低密度C/C复合材料表面SiC涂层

王兵 , 谭毅 , 施伟 , 李佳艳 , 尤启凡

材料工程 doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.02.001

采用浆料法在低密度C/C复合材料表面制备了石墨涂层,然后利用硅蒸镀法使硅蒸气与石墨涂层反应生成SiC涂层.借助X射线衍射、扫描电子显微镜等研究了蒸镀温度、蒸镀时间、石墨涂层表面粗糙度、硅蒸发源及气氛条件对涂层微观结构、相组成、致密度、平整度以及涂层厚度的影响.结果表明:随着蒸镀温度的升高,涂层的表面平整度增加,当蒸镀温度为1550℃和1650℃时,涂层表面仅存在SiC;硅块为硅蒸发源,氩气为保护气氛均可提高涂层表面平整度;降低石墨涂层的表面粗糙度,涂层的致密度和连续性增大;随着蒸镀时间的增加,SiC涂层厚度和致密度逐渐增加.

关键词: 低密度C/C复合材料 , 硅蒸镀法 , SiC涂层

多孔硅的制备及其吸杂处理对电学性能的影响

李佳艳 , 郭素霞 , 谭毅 , 刘辰光

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2012.03.015

多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅,通过观察多孔硅的形貌、结构及单晶硅片的电阻率变化,研究不同电流密度制备的多孔硅对吸杂效果的影响,并从多孔硅的结构出发探究多孔硅吸杂的机理.结果表明,随电流密度增加,孔隙率明显增加,多孔硅在电流密度为100mA/cm2时,孔隙率最大;电流密度越大,多孔硅伴随所产生的弹性机械应力增加,晶格常数相应增加,这两个因素都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.

关键词: 多孔硅 , 电化学腐蚀 , 吸杂性能 , 电阻率

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