汤猛
,
李勇男
,
殷波
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163112.1124
基于溶液旋涂法和高压退火工艺制备了 a-IGZO 薄膜。采用椭圆偏振光谱分析仪以及原子力显微镜研究和分析了H 2 O 2对薄膜的表面结构和光学特性的影响。实验结果表明,a-IGZO 前驱液中不含 H 2 O 2的薄膜,退火温度从220℃升高到300℃,薄膜的光学带隙从3．03增加到3．29,而膜表面粗糙层由20．69 nm 降至4．68 nm。在同样的高压退火条件处理下,与前驱液中没加入 H 2 O 2的薄膜相比,折射率显著增加并明显的降低了薄膜表面粗糙度。退火温度在300℃时,薄膜的光学带隙由3．29 eV 增大到3．34 eV,表面粗糙层由4．68 nm 减少到2．89 nm。因此,H 2 O 2可以在相对低温条件下有效降低薄膜内部的有机物残留及微缺陷,形成更加致密的 a-IGZO 薄膜。证明了利用 H 2 O 2能够有效降低溶液法制备 a-IGZO 薄膜所需的退火温度。
关键词:
a-IGZO 薄膜
,
H2O2 溶液
,
椭圆偏振光谱
,
致密性
