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Mn离子注入Mg掺杂Ga N的微结构和光学特性研究?

徐大庆 , 张义门 , 李培咸 , 娄永乐 , 刘树林 , 童军

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.003

通过Mn离子注入 Mg 掺杂 GaN 外延层制备了铁磁性 GaN∶Mn 薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响。拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(LVM)紧邻 Ehigh2峰。光致发光谱观察到位于1．69,2．54和2．96 eV的3个新的发光峰,分析认为2．96 eV 的发光峰来自MgGa-VN 复合体深施主能级和 Mg 的浅受主能级之间的辐射复合跃迁,2．54 eV的发光峰来自浅施主能级和深受主能级之间的辐射复合跃迁,对于位于1．69 eV的新发光峰不排除来自MgGa-VN 复合体深施主能级和Mn相关深受主能级之间辐射复合跃迁的贡献。

关键词: GaN , 离子注入 , 拉曼散射 , 光致发光

基于AlN基板的不同Al组分的AlGaN材料生长

周小伟 , 李培咸 , 郝跃

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.010

采用脉冲法生长了200nm厚的AlN薄膜,其XRD摇摆曲线的半高宽为130aresec,表面粗糙度为2.021nm.以此AIN层为基板生长了不同Al组分的AlGaN薄膜,高分辨率XRD测试发现,随Al组分的增加,AlN基板层对AlGaN薄膜施加的压应力增大,同时,AlGaN薄膜在生长合并过程中产生的张应力也增大.在Al组分为0.67时,发现这两种应力处于一种平衡的状态,此时的AlGaN薄膜有最优的结晶质量.

关键词: 脉冲MOCVD法 , AlGaN材料 , 薄膜应力

高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展

刘坚斌 , 李培咸 , 郝跃

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.05.001

GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击.简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果.最后,提出了需要着重解决的问题.

关键词: 光电子学 , 半导体材料 , GaN , 蓝光LED , 白光LED

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