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表面损伤层对Hg1-xMnxTe晶片电学参数的影响

王泽温 , 介万奇 , 李培森 , 谷智 , 刘长友 , 李强 , 查钢强 , 汪晓芹

稀有金属材料与工程

采用范德堡法在77 K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量.结果发现:与化学抛光后所测值相比,抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小,而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大,其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光前后变化幅度分别高达25%和31%,而霍尔系数和载流子浓度的变化幅度只有2%左右.化学抛光前,晶片表面损伤层内存在大量位错,对载流子的迁移造成散射,使得损伤层中的霍尔迁移率降低,但化学抛光前所测得的霍尔迁移率反而比抛光后的大,增幅最小的也达到了21%.本研究在3层模型的基础上,通过理论分析和计算,对这一反常现象以及化学抛光前后其它电学参数的变化进行了解释.

关键词: Hg1-xMnxTe , 表面损伤层 , 电学参数 , 霍尔迁移率

Ca2+掺杂γ-La2S3多晶的制备

张素敏 , 李焕勇 , 李培森 , 介万奇

人工晶体学报

本文以气固反应硫化得到的γ-La2S3粉体为原料,采用热压烧结的方法制备出了γ-La2S3多晶体片.研究了不同Ca2+掺杂量对得到粉体相结构的影响,并分析了烧结温度、保温时间对多晶体γ-La2S3红外透过率的影响.结果表明:掺入碱土金属离子Ca2+有利于低温获得稳定的高温型γ-La2S3相,在Ca/La物质的量比为1:5~1:15时能得到纯相的γ-La2S3粉体.在烧结温度为1100 ℃,保温时间为1 h时制备出的γ-La2S3多晶体片,晶粒细小均匀,无明显气孔,在10~14 μm波段的最大红外透过率约为40%.

关键词: 稀土化合物 , γ-La2S3 , 热压多晶 , 红外透过率

放电等离子烧结制备Ba2+掺杂γ-La2S3陶瓷及其性能研究

沙欢 , 李焕勇 , 罗发 , 汤庆新 , 李培森

人工晶体学报

以气固反应硫化制备的γ-La2S3粉体为原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术制备出γ-La2S3多晶陶瓷.研究了Ba2+掺杂量对得到γ-La2S3粉体物相结构的影响,并分析了烧结温度、再硫化工艺参数对γ-La2S3多晶陶瓷微观组织结构和红外透过率的影响.结果表明:掺入Ba2有利于低温获得稳定的高温型γ-La2S3相,在nLa/nBa为5 ~15时能够得到纯相的γ-La2S3粉体.在烧结温度为1150℃,保温时间为5min时制备出的γ-La2S3陶瓷致密,无明显气孔,在CS2气氛下再硫化2.5h后,在10 ~ 14μm波段的红外峰值透过率达到42%.

关键词: γ-La2S3 , Ba2+掺杂 , 放电等离子烧结 , 红外透过率

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