马瑞新
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李士娜
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锁国权
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任磊
材料科学与工艺
为明确溅射偏压对ITO薄膜性质的影响,用射频磁控溅射法于室温在玻璃衬底制备出ITO透明导电薄膜,研究了不同偏压下ITO薄膜的生长模式、光学和电学性能.结果表明：随着偏压的增加,薄膜沉积模式经历了沉积、沉积和扩散、表面脱附3种方式;AFM和SEM显示,偏压为100 V时,膜层表面光洁、均匀,粗糙度最小,均方根粗糙度为1.61 nm;XRD分析表明偏压会影响与薄膜的择优取向,偏压为100 V时,薄膜晶粒取向为（222）面;薄膜偏压为120 V时,薄膜的光电性能最佳,电阻率最低为2.59×10-4Ω.cm,可见光区的平均透过率在85%以上;偏压的大小使薄膜的吸收边发生了＂蓝移＂或＂红移＂.
关键词:
ITO薄膜
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偏压
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生长模式
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微观结构
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光电性能
马春红
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马瑞新
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李士娜
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扈百直
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钟景明
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朱鸿民
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射法以铌(Nb)掺杂氧化铟锡(ITO)为靶材制备了厚度为300 nm的ITO:Nb薄膜,研究了不同基底温度下,薄膜的结构、导电性和可见光区的透过率.XRD分析表明所制备的ITO:Nb薄膜均为In2O3相；AFM显示ITO:Nb薄膜的均方根粗糙度随着温度的升高逐渐变大;薄膜的电阻率随着温度的升高逐渐减小,在300℃时得到最小值1.2× 10-4Ω·cm.电阻率下降主要是因为霍耳迁移率增大和载流子浓度逐渐增加.ITO:Nb薄膜在可见光内的平均透过率均大于87％,且随着温度的升高,吸收边发生“红移”,禁带宽度逐渐增加.
关键词:
掺铌ITO
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透明导电薄膜
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基片温度
,
性能
