段良飞
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杨雯
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杨培志
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张力元
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涂晔
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李学铭
人工晶体学报
利用射频磁控溅射镀膜技术,采用不同的衬底温度及射频功率在玻璃衬底上制备了非晶硅薄膜;利用X射线衍射仪、拉曼(Raman)散射仪、台阶仪、紫外-可见光-近红外分光光度计及SPSS统计分析方法研究了衬底温度及射频功率对薄膜均匀性及其光学吸收特性的影响.结果表明:衬底温度从150℃增加到200℃,薄膜的生长速率加快、均匀性降低、光学吸收强度增加,从200℃再增加到250℃,薄膜的生长速率降低、均匀性下降、光学吸收强度减弱;射频功率从90W增加到100 W,薄膜的生长速率加快、均匀性增加、光学吸收强度增加,从100 W再增加到110 W,则薄膜的生长速率降低,均匀性降低、光学吸收强度降低;获得了优化的非晶硅薄膜的制备工艺:射频功率100W,衬底温度200℃.
关键词:
射频磁控溅射
,
非晶硅薄膜
,
均匀性
,
光学吸收
李学铭
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廖承菌
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唐利斌
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杨培志
材料导报
基于黑硅材料的发展,讨论了国内外化学刻蚀制备黑硅的研究进展,包括掩膜辅助、金属离子辅助化学刻蚀.结果表明,黑硅材料的表面特殊结构能够有效降低硅表面的反射率,从而提高太阳能电池转换效率.此外,化学刻蚀法制备黑硅简便易行、成本低廉,高效可靠,具有良好的发展前景.
关键词:
黑硅
,
化学刻蚀
,
金属催化
,
微纳结构
刘丽来
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闫红丹
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尚杰
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李学铭
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张鹏翔
材料科学与工程学报
本文提出了一种在多孔阳极氧化铝(Anodic Aluminum Oxide)模板中直接直流电沉积铁纳米线的新方法.采用阶梯降压法减薄致密的阻挡层,以Al基底为阴极,铂电极为阳极.直接在制备AAO模板的装置中进行直流电沉积.用SEM对制备的AAO模板及铁纳米线进行了形貌表征,结果表明:制备的铁纳米线分布均匀,直径约为50nm,粗细与模板的孔径基本相同.本实验工艺简单,同时避开了AAO模板薄、脆、易碎的特点,从而使制备大面积的铁纳米线成为了可能.
关键词:
阳极氧化铝模板
,
铁纳米线
,
电沉积
