李宗峰
,
周旗钢
,
何自强
,
冯泉林
,
杜娟
,
刘斌
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.01.021
研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用.分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用.研究发现,在1200℃退火2h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多.然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10 μm.因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小.
关键词:
直拉硅单晶
,
大直径
,
空洞型微缺陷
,
晶体原生粒子缺陷
,
高温退火
王磊
,
周旗钢
,
李宗峰
,
冯泉林
,
闫志瑞
,
李青保
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.03.011
研究了高温退火过程中氩/氢混合气氛对300 mm硅片表面质量(原生颗粒缺陷和微粗糙度)的影响.在氢气含量不同的氩/氢混合气氛中,对样品进行1100℃,1h的高温退火处理,研究退火前后硅片表面原生颗粒缺陷和微粗糙度值的变化.实验结果表明,氩/氢混合气氛中氢气的含量对硅片表面原生颗粒缺陷的消除没有促进也没有抑制作用,增加氢气比例能促进硅片近表层处空洞型缺陷的消除；混合气氛中氢气的存在使得退火后硅片表面的微粗糙度值增加的更多,同时随着氢气比例的增加,表面微粗糙度增加的百分比总体呈递增趋势.最后就氢气对硅片近表面处空洞型缺陷的消除促进作用和氢气至表面微粗糙度变化机制做了分析.
关键词:
高温退火
,
表面微粗糙度
,
空洞型缺陷
,
原生颗粒缺陷
