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桥联聚倍半硅氧烷纳米带的制备

陈木子 , 王海瑞 , 侯逢文 , 汪理文 , 李宝宗 , 李艺

高分子材料科学与工程

依照文献以L-丙氨酸为手性源合成了-阴离子型两亲小分子化合物,利用圆二色谱研究了该化舍物在水中的自组装行为。同时通过溶胶-凝胶复制法,以该手性阴离子型两亲小分子化合物的自组装体作为模板,以(3-胺丙基)三甲氧基硅为结构助剂,以倍半硅氧烷为硅源制备了桥联聚倍半硅氧烷纳米带,并利用扫描电镜、透射电镜和圆二色谱方法研究了该纳米带结构。透射电镜和圆二色谱表征结果表明,1,4-亚苯基桥联聚倍半硅氧烷和4,4’-亚联苯基桥联聚倍半硅氧烷的结构为中间有间隙的双层纳米带,且在纳米和埃的尺度下具有手性。

关键词: 手性 , 自组装 , 桥联聚倍半硅氧烷 , 纳米带

低硅沸石骨架结构及其稳定性的模拟计算

李宝宗 , 国永敏 , 庞文琴 , 徐如人

无机材料学报

采用晶格能极小化技术模拟计算了一系列结构的低硅沸石全硅骨架晶格,预测了它们的骨架结构和晶格能.计算结果与二氧化硅致密α一石英相比较,发现这些低硅沸石彼此间的晶格能相差很小(<25kJ·mol-1),与α一石英相差43~68kJ·mol-1这意味着在低硅沸石的合成中,特定结构骨架的形成仅需要较少的能量;可以解释低硅沸石骨架结构的相似性和多样性.同时讨论了计算晶格能和骨架结构间的关系,结果表明随着低硅沸石骨架密度的增大,全硅骨架晶格能呈降低趋势.分析这些低硅沸石的XRD数据发现在它们的结构中包含较短的 Si-O键长(0.1557nm),很长的 Si-O键长(01764nm), O-Si-O键角有大的分布范围(93.38~133.41°),Si-O-Si键角平均在144°左右并且具有更大的分布范围(127~180°)。

关键词: 低硅沸石 , lattice energy minimization , bond length and bond angle , structrue and property , null

低硅沸石骨架结构及其稳定性的模拟计算

李宝宗 , 国永敏 , 庞文琴 , 徐如人

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.020

采用晶格能极小化技术模拟计算了一系列结构的低硅沸石全硅骨架晶格,预测了它们的骨架结构和晶格能.计算结果与二氧化硅致密α-石英相比较,发现这些低硅沸石彼此间的晶格能相差很小(<25kJ.mol-1),与α-石英相差43~68kJ.mol-1.这意味着在低硅沸石的合成中,特定结构骨架的形成仅需要较少的能量,可以解释低硅沸石骨架结构的相似性和多样性.同时讨论了计算晶格能和骨架结构间的关系,结果表明随着低硅沸石骨架密度的增大,全硅骨架晶格能呈降低趋势.分析这些低硅沸石的XRD数据发现在它们的结构中包含较短的Si-O键长(0.1557nm),很长的Si-O键长(0.1764nm),O-Si-O键角有大的分布范围(93.38~133.41°),Si-O-Si键角平均在144°左右并且具有更大的分布范围(127~180°).

关键词: 低硅沸石 , 晶格能极小化 , 晶格能 , 键长和键角 , 结构和性能

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