刘鹏玮
,
蔡强
,
白成英
,
邓湘云
,
李建保
,
刘张敏
,
李誉
,
杨杰
,
朱飘
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.20.013
以碳化硅(SiC)和不同铝源(多孔Al2O3/纳米Al2O3/Al(OH)3)为起始原料,通过原位反应结合工艺制备莫来石结合碳化硅多孔陶瓷.主要研究了不同铝源及温度对多孔陶瓷抗弯强度、气孔率、线性伸缩率等性能的影响,并采用XRD和SEM分析表征了样品的物相组成与断面形貌.结果表明:以多孔Al2O3为铝源,在1450℃下保温3h制备的碳化硅多孔陶瓷的综合性能最优,其强度为58MPa,气孔率为41.9％;烧结温度对3种铝源所制备的多孔陶瓷具有相同的影响,随着温度的升高,强度逐渐升高,气孔率逐渐降低,线性收缩率逐渐增大.
关键词:
碳化硅多孔陶瓷
,
铝源
,
莫来石
,
抗弯强度
,
气孔率
黄存新
,
刘翠
,
余明清
,
袁家铮
,
范仕刚
,
赵春霞
,
李建保
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.018
本文采用固相反应合成Gd2O2S:Pr陶瓷闪烁体粉末,确定了固相反应时Gd2O3与S的配比分别约为Gd2O3与S总质量的88%和12%,并往其中成功地掺入了痕量Pr2O3,测量了GOS:Pr的荧光光谱,分析表明,制备出的GOS:Pr粉末的主发射峰位于512nm处,与硅光电二极管光谱感光度匹配.此法制备出的GOS:Pr粉末适于制造GOS:Pr闪烁陶瓷.
关键词:
Gd2O2S:Pr
,
陶瓷闪烁体
,
固相反应合成
,
荧光光谱
苏魁范
,
邓湘云
,
李建保
,
王春鹏
,
张国庆
,
景亚妮
,
白成英
膜科学与技术
研究了陶瓷纤维过渡层浆料的不同工艺配方对复合碳化硅过滤膜材料结构的影响,陶瓷粘结剂量对过滤膜的孔隙率、孔径大小和孔径分布的影响,以及陶瓷粘结剂量为15％(质量分数)时,造孔剂量对过滤膜孔隙率的影响.采用流延成型法在多孔碳化硅陶瓷块体上流延制备复合碳化硅陶瓷过滤膜,并用XRD对过滤膜进行物相分析,扫描电镜观察过滤膜的形貌,表面过滤膜的孔隙率和孔径分布则用排水法和泡点法分别测试.结果表明,1300℃烧结3h后的碳化硅过滤膜在2θ=22°时,有SiO2衍射峰生成.当陶瓷纤维过渡层浆料各成分的质量比为:硅酸铝纤维∶莫来石纤维∶羧甲基纤维素钠(CMC)∶蒸馏水=1∶1∶1.565,复合碳化硅陶瓷过滤膜结构最均匀平整.当粘结剂量5％增加到25％时,过滤膜气孔率从46％下降到29％,平均孔径从11.916μm减小至4.017μm;当粘结剂量为15％,造孔剂量从5％增加到25％时,过滤膜气孔率从41％上升到60％.
关键词:
碳化硅
,
过滤膜
,
陶瓷纤维过渡层
,
流延成型
,
孔隙率
,
孔径
苏魁范
,
陈缔
,
邓湘云
,
李建保
,
王春鹏
,
张国庆
,
王黎明
绝缘材料
通过掺入不同含量的B2O3对BaTi0.75Zr0.25O3(BZT)陶瓷进行低温烧结,研究其对介电性能的影响,并采用X射线衍射进行物相分析.结果表明:掺杂B2O3的BZT陶瓷在1150℃烧结温度下得到的主晶相均为钙钛矿,且不存在明显的杂相.观察试样的表面形貌,当B2O3掺杂量为0%~1.5%时,陶瓷晶粒尺寸逐渐变大,而掺杂量为1.5%~2.5%时,晶粒尺寸稍微变小.随着B2O3含量的增加,BZT陶瓷的介电常数降低,介质损耗略微增大.与未掺杂的BZT陶瓷相比,掺杂B2O3的BZT陶瓷的烧结温度下降了300℃,掺杂1.5% B2O3的BZT陶瓷的结构和介电性能较好.
关键词:
BaTi0.75Zr0.25O3
,
B2O3
,
低温烧结
,
介电性能
景亚妮
,
邓湘云
,
李建保
,
白成英
,
蒋文凯
,
李誉
,
刘张敏
硅酸盐通报
以煅烧高岭土、Al(OH)3粉末、SiC粉末为主要原料,以石墨为造孔剂制备了SiC/莫来石复相多孔陶瓷,研究了造孔剂含量、碳化硅颗粒粒径以及烧结温度对SiC/莫来石复相多孔陶瓷抗弯强度和气孔率的影响,并分别用XRD和SEM分析晶相组成和断面显微结构.结果表明:当SiC粒径为60 μm,造孔剂含量为15％时,在1400℃下保温3h制备的样品综合性能最佳,其孔隙率为30.3％,抗折强度达到58.0 MPa.
关键词:
复相多孔陶瓷
,
抗弯强度
,
气孔率
张海涛
,
邓湘云
,
陈新
,
朱素娟
,
田文伟
,
陈日科
,
李建保
功能材料
以二氧化钛纳米管阵列为模版,用水热法合成了钛酸钡纳米管阵列薄膜.讨论了水热温度、水热时间、碱的浓度对其生长形貌的影响.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜表征了其晶体结构及微观形貌;用热重-差示扫描量热仪测定了材料的热学性能;用宽频介电阻抗谱仪测试了样品的介电性能.结果表明,在低至100℃水热温度下反应6h即可制得单一相的钛酸钡纳米管阵列薄膜.水热时间的延长和较高的水热反应温度有助于提高样品的介电常数.氢氧化钾的加入抑制了钡离子向纳米管阵列中扩散而促使表面颗粒的结晶长大.纳米管的结构转变温度在700-1100℃之间,至1280℃左右时发生相变转变.
关键词:
钛酸钡纳米管阵列薄膜
,
水热法
,
微观结构和形貌
,
热性能
,
介电性能
杨仪潇
,
刘张敏
,
邓湘云
,
李建保
,
石雯怡
,
张伟
,
尹沛羊
硅酸盐通报
本文以碳化硅(SiC)、气相SiO2、纳米Al2O3和AlF3·H2O为原料,制备出了碳化硅/莫来石复合多孔陶瓷,主要研究了AlFa·H2O添加量、烧结温度对多孔陶瓷抗弯强度、气孔率、孔径分布等性能的影响.用SEM、XRD研究了多孔陶瓷的微观形貌和物相组成.结果表明:AlF3·H2O对莫来石的生成有明显的促进作用,1300℃时,添加AlF3·H2O的样品中检测到莫来石相,多孔陶瓷气孔率随AlF3·H2O加入量增加而升高,而抗弯强度随其增高而先增加后减小,AlF3·H2O添加量为4wt％时,多孔陶瓷气孔率为42.8％,抗弯强度为31.1 MPa.
关键词:
多孔陶瓷
,
碳化硅
,
莫来石
,
氟化铝
张伟
,
李誉
,
邓湘云
,
李建保
,
杨仪潇
,
石雯怡
,
尹沛羊
硅酸盐通报
采用碳化硅、烧高岭土、氢氧化铝、滑石为主要原料,石墨为造孔剂制备了碳化硅/堇青石复相多孔陶瓷.研究了烧结温度和烧结助剂二氧化铈对碳化硅/堇青石复相多孔陶瓷气孔率和强度的影响,并分别用XRD和SEM分析晶相组成和断面显微结构表明:制备出的SiC多孔陶瓷的主相是SiC,结合相是堇青石与方石英,多孔陶瓷具有相互连通的开孔结构;在1350℃烧结,并保温3h,当造孔剂含量为15％时,碳化硅/堇青石复合多孔陶瓷性能最佳,其气孔率31.80％,相应的弯曲强度为63.74 MPa.在1200℃下,添加不同含量的CeO2,对烧结样品的相组成有影响,能够降低生成堇青石的温度,在CeO2含量为3％的样品中,堇青石的峰最明显,但是过量的氧化铈会抑制了堇青石的生成;随着CeO2加入量的增加,其气孔率和弯曲强度也会随之变化,1200℃下,在CeO2加入量为4％时其弯曲强度最优.但随着CeO2的含量的增加,其气孔率逐渐下降.
关键词:
复相多孔陶瓷
,
碳化硅
,
二氧化铈
,
弯曲强度
,
气孔率
尹沛羊
,
刘鹏伟
,
邓湘云
,
李建保
,
杨仪潇
,
石雯怡
,
张伟
人工晶体学报
以阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列为模板,结合水热法制备了钛酸锶钡纳米管阵列薄膜.讨论了Ba1-xSrxTiO3纳米管阵列薄膜的结构、形貌和电学性能.用X射线衍射仪表征其晶体结构;扫描电子显微镜观察其表面及断口形貌;以及用宽频介电阻抗谱仪测试其介电性能.结果表明:在较为温和的条件下用水热法制备了立方相及四方相的Ba1-xSrxTiO3纳米管阵列薄膜;纳米管孔径在65～ 80 nm之间,薄膜厚度可达10 μm以上;经热处理之后的薄膜样品在1 kHz介电常数可达338,介电损耗为0.46.
关键词:
钛酸锶钡
,
纳米管阵列薄膜
,
水热法
,
表面形貌
,
介电性能
文忠和
,
李建保
,
韩永生
,
杨晓战
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2003.11.012
以天然粉石英为骨料、硅质粘土为基础料、有机泡沫体为制品骨架,在1 360℃保温30min获得了气孔率为76%、强度为1.6MPa的石英网眼多孔陶瓷.通过XRD、SEM研究了粉石英含量对陶瓷物相组成和显微结构的影响.粉石英含量过少会使多孔陶瓷体孔筋产生微气孔,但粉石英含量过多莫来石量会有所减少;比较合适的含量是粉石英和基础料的比例为3:7,这时孔筋非常致密,几乎看不到微气孔.
关键词:
石英
,
网眼多孔陶瓷
,
物相组成
,
显微结构
