吕文辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
魏燕燕
,
郭万国
,
曹连振
,
陈雷锋
,
赵海峰
,
李志明
,
蒋红
,
缪国庆
功能材料
用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性.实验结果显示,相对于平面的衬底电极,斑条的ITO电极能够有效的改善碳纳米管的场发射特性.通过电场的数值计算,场发射特性的改善起源于斑条的ITO电极自身的表面电场增强引起了碳纳米管表面电场的两级放大.采用图形化衬底电极去制备碳纳米管阴极是改善碳纳米管场发射特性的一个简单、有效途径.
关键词:
碳纳米管
,
场发射
,
图形化的衬底电极
,
两级场放大
吕文辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
魏燕燕
,
郭万国
,
曹连振
,
陈雷锋
,
赵海峰
,
李志明
,
蒋红
,
缪国庆
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.008
采用电泳法将碳纳米管组装到电化学淀积的银台阵列上作为场发射阴极并研究了它的场发射特性.场发射特性测试结果表明:该阴极具有优异的场发射特性,开启电场为2.8V/μm,在应用电场为5.5V/μm时,发射电流密度达到1.7mA/cm2.具有优异的发射性能的原因可以归结到银台的边缘和银台类山状的表面增强了碳纳米管的场致电子发射.该阴极制备工艺简单、发射特性优异,且容易实现大面积制备,可以应用到大面积场发射显示器件中.
关键词:
碳纳米管
,
场发射阴极
,
银台阵列
,
电泳淀积
,
电化学淀积
曹连振
,
蒋红
,
宋航
,
李志明
,
赵海峰
,
吕文辉
,
刘霞
,
郭万国
,
阎大伟
,
孙晓娟
,
缪国庆
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.01.009
采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征.研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场发射特性进行了比较.当发射电流密度达到10 μA/cm2时,无图形化处理的碳纳米管薄膜、10 μm碳纳米管线阵列以及2 μm碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为3 V/μm、2.1 V/μm和1.7 V/μm;而当电场强度达3.67 V/μm时,相应的电流密度分别为2.57 mA/cm2、4.65 mA/cm2和7.87 mA/cm2. 实验结果表明,图形化处理后的碳纳米管作为场发射体,其场发射特性得到了明显的改善.对改善的原因进行了分析和讨论.
关键词:
碳纳米管
,
线阵列
,
热化学气相淀积
,
场发射特性
汪伟
,
李志明
,
徐江
,
周国庆
,
翟利华
,
李梅
,
粟永阳
,
韦冠一
分析化学
doi:10.11895/j.issn.0253-3820.160164
为有效获取铀颗粒物中具有取证价值的铅杂质同位素信息,建立了激光烧蚀-多接收电感耦合等离子体质谱(LA-MC-ICP-MS)测定铀颗粒物中铅杂质同位素比值的方法。探究了诸多同位素分馏效应校正方法下铅本底对同位素测量的影响,选用的LA-MC-ICP-MS系统的本底对比值测量结果的影响小于0.001(208Pb的信号强度大于2.2×103 cps),确定采用NIST SRM612为外标校正质量分馏,固定激光束斑直径30μm、脉冲重复率20 Hz、调节能量密度使LA-MC-ICP-MS分析NIST SRM612和铀颗粒物样品所得208Pb分别小于1.5×105 cps和3×104 cps,标准物质CRM124-4样品中206Pb/208Pb、206Pb/207Pb和207Pb/208Pb比值测量结果的相对实验标准不确定度小于0.48%、0.68%和0.40%。实际样品分析结果表明,本方法可有效区分铀颗粒物中的铅同位素比值差异,有助于鉴别其来源。
关键词:
铀颗粒物
,
铅杂质
,
同位素比值
,
激光烧蚀-多接收电感耦合等离子体质谱
李志明
,
郝跃
,
张进成
,
陈炽
,
薛军帅
,
常永明
,
许晟瑞
,
毕志伟
人工晶体学报
在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中, 提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小.与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高.另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量.
关键词:
MOCVD
,
感应加热
,
热分析
,
基座
王辉
,
宋航
,
金亿鑫
,
蒋红
,
缪国庆
,
李志明
,
赵海峰
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.010
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析,分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜.对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试,在室温下观察到了薄膜峰值位于417 nm和436 nm的较强的可见光发射,认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发,然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合.
关键词:
光致发光
,
碳化硅
,
HFCVD
罗凌虹
,
吴也凡
,
李志明
,
王程程
,
程亮
,
石纪军
稀有金属材料与工程
采用柠檬酸法制备了固体氧化物燃料电池钙钛矿型阴极粉体La_(1-x)Sr_xMnO_(3-δ)(0.1＜x＜0.5),研究了pH值、络合剂量、煅烧温度等各工艺参数对络合效果的影响.结果表明:pH值是关键因素,最佳pH值为3.乙二醇能很好地促进柠檬酸络合金属离子,同时适当增加柠檬酸量有利于金属离子的络合.制备阴极粉体La_(1-x)Sr_xMnO_(3-δ)的最佳实验条件为:pH值为3,添加乙二醇,柠檬酸与金属离子的摩尔比为2,煅烧温度为1000 ℃.
关键词:
固体氧化物燃料电池
,
La_(1-x)Sr_xMnO_(3-δ)
,
柠檬酸法
李志明
,
江海鹰
,
李金屏
,
甘小冰
,
胡仕刚
人工晶体学报
本文通过对电磁加热八英寸晶片的立式氮化物MOCVD反应室建立数学模型,利用有限元法,对传统的加热结构进行了优化.为提高晶片温度分布的均匀性,本文提出了矩形槽和圆环段形槽两种不同槽结构的基座,通过对这两种槽结构基座的优化分析发现,与传统用的基座相比,这两种槽结构的基座改变了传统基座中的传热方式和不同方向的传热速率,从而提高了晶片温度分布的均匀性,这有利于提高薄膜生长的质量.
关键词:
MOCVD
,
有限元
,
均匀性
