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李效白
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.022
GaN具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点,是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料.宽禁带Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的性能和研究进展已经使大功率紫外光/蓝光/绿光光发射二极管走向商业市场,证明InGaAs/GaN/AlGaAs紫罗兰色异质结激光器能够在室温和脉冲或连续波条件下工作,是性能优越的光电器件的理想材料.本文综述了上述研究成果.
关键词: 氮化硅 , 发光管 , 激光管 , 场效应管 , 异质结双极晶体管
李效白 , 马农农 , 侯晓远
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.011
GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半 导体器件和电路的性能有重要的影响. Na+沾污 GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化 GaAs 场效应管大幅度减少了表面态.本文详细介绍本研究组在 GaAsFET表面漏电的研究进展.
关键词: 砷化镓场效应管 , 击穿电压 , 漏电 , Na+沾污 , 硫钝化
