徐一斌
,
奚同庚
,
倪鹤林
,
段炼
,
李明华
,
蔡忠龙
,
费扬
材料研究学报
用DSC和激光热导仪分别测定了Li2B4O7(LBO)晶体350—970K范围内的比热和630—970K范围内不同主晶轴方向的导温系数.并由此得出了导热系数和声子平均自由程.
关键词:
Li_2B_4O_7晶体
,
specific heat
,
thermal diffusivity
,
thermal conductivity
,
phonon mean
黄俊俊
,
张斗彪
,
黄宏志
,
丁明
,
赵娣芳
,
李明华
,
谢劲松
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.14.004
以氟碳树脂为基体,掺铝氧化锌粉体为导电填料,制备导电性能优良的单组份导电涂料.借助热重-差热、X射线衍射、电镜等分析手段,探讨了掺铝氧化锌粉体的添加量和导电粉体的改性对导电涂料电性能、热稳定性和力学性能的影响.结果表明,当用乙烯基三乙氧基硅烷和硅烷偶联剂改性的导电填料掺量为35％时,制备的导电涂料性能最优,其体积电阻率为8.89×108 Ω·cm、拉伸强度和断裂伸长率分别为19.36 MPa和200.45％.
关键词:
导电涂料
,
氟碳树脂
,
掺铝氧化锌
付小娟
,
张海燕
,
周纯
,
尹建峰
,
李明华
材料导报
比较了5种不同管径碳纳米管的电化学储氢能力.采用三电极体系,Ni(OH)2/NiOOH为对电极,CNTs-Ni(质量比为1:9)为工作电极,Hg/HgO为参比电极,30%的KOH作为电解液.实验结果显示:在同等制作条件和200mA/g的充放电电流密度,0.1V的放电终了电压下,10～30nm的碳管储氢能力最好,克容量最大为480.6mAh/g,相应的平台电压高达0.92V;20～40nm的最高克容量为430.5mAh/g,仅低于10～30nm的电化学储氢量.10～20nm、40～60nm和60～100nm碳管的电化学储氢量分别是:401.1mAh/g、384.7mAh/g和298.3mAh/g.由此可见碳纳米管的管径大小也是影响其电化学储氢性能的一大因素.纯镍电极在同等条件下的最高放电量只有17.8mAh/g,对整个电极放电量的影响可以忽略不计.
关键词:
碳纳米管
,
电化学储氢
,
克容量
,
CNTs-Ni电极
李明华
,
于广华
,
朱逢吾
,
姜宏伟
,
赖武彦
功能材料
采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜(分别以Ta、Cu作为缓冲层,Ta作为保护层).实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大,而矫顽力却很小.我们从织构、界面粗糙度两方面对其中的原因进行了分析.以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜有好的织构且NiFe/FeMn界面较平滑,这引起了较强的交换偏置场和较低的矫顽力.
关键词:
NiFe/FeMn
,
交换偏置场
,
织构
,
界面粗糙度
王海成
,
杜中美
,
王立锦
,
滕蛟
,
李明华
,
于广华
功能材料
采用化学镀工艺制备了Co-P磁记录薄膜,研究了非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的生长及性能的影响.研究结果表明:非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的晶体结构及取向无明显影响,镀态的Co-P薄膜均为密排六方结构, (100)、(002)、(101)的择优取向无明显变化;但非晶无磁的Ni-P底层可以提高薄膜的均匀性和一致性,表面无明显缺陷;细化晶粒,平均晶粒尺寸为100～150nm;提高Co-P薄膜的磁性能,矫顽力可达4.54×104A/m.当记录信号脉冲时,与铝基体上直接施镀相比,在Ni-P底层上的Co-P磁记录薄膜输出信号幅值均匀稳定,信噪比良好.
关键词:
化学镀
,
Co-P
,
磁记录薄膜
,
Ni-P
李明华
,
文立伟
,
肖军
,
张建宝
玻璃钢/复合材料
doi:10.3969/j.issn.1003-0999.2008.03.013
在张力控制系统硬件构成和软件总体结构的基础上,重点研究控制软件中数据采集与处理模块中的相关技术,包括多线程技术、多媒体定时器技术、双缓冲区技术等.这些技术的成功应用,不仅提高了张力控制系统的实时性、稳定性以及精确性,同时改善了实时数据存储及其动态曲线显示.
关键词:
数据采集与处理
,
多线程
,
多媒体定时器
,
PMAC
朱逢吾
,
于广华
,
李明华
,
姜宏伟
,
赖武彦
金属学报
对于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜,Cu原子偏聚到NiFe/FeMn界面将导致自旋阀多层膜中NiFe/FeMn的交换耦合场Hex下降.然而,少量的表面活化原子Bi被沉积到Cu层和被钉扎NiFe层之间,Cu原子在NiFe/FeMn界面的偏聚可以被抑制;而且,更重要的是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的交换耦合场Hex可以被有效地提高.
关键词:
层间偏聚
,
null
,
null
,
null
李明华
,
李伟
,
滕蛟
,
于广华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.009
采用磁控溅射制备了 NiFeCr (4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD 结果表明,薄膜不仅具有很强的 NiFe(111)织构,同时还出现了 MgO 的(111)衍射峰。随退火温度的升高,MgO(111)衍射峰的强度有所降低。
关键词:
MgO
,
NiFeCr
,
各向异性磁电阻
,
退火
张坚
,
李明华
,
魏爱香
,
陈进
,
曾国勋
,
张海燕
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.036
用二步氧化法可以在草酸或硫酸中制备多孔氧化铝(AAO)模板,这种模板成本低,高度有序,六角排列.利用化学气相沉积技术可以制备高度定向生长的碳纳米管,这将有利于研究碳纳米管的性质和它在纳米电子器件及其他领域的应用.本文介绍了AAO模板的阳极氧化工艺,成膜机理以及不同电解液,氧化电流、电压等因素对纳米孔道的影响.讨论了催化剂和气相沉积温度对碳纳米管特性的影响,并指出这种制备碳纳米管的技术需要深入研究的问题.
关键词:
多孔氧化铝
,
模板
,
碳纳米管
