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纳米氮化钛粉体的制备及其影响因素

李景国 , 高濂 , 张青红 , 孙静 , 李蔚

无机材料学报

以纳米TiO₂为原料,采用氨气氮化法制备了纳米TiN粉体。研究了制备过程中的影响因素。实验结果表明:在800℃下,氮化反应5h,纳米TiO₂全部转化成纳米TiN,制备的纳米TiN粉体的粒径为20nm左右,采用化学分析法分析了纳米TiN的纯度,采用DTA-TG技术研究了纳米TiN的热稳定性。

关键词: 纳米TiN , nano TiO₂ , preparation , influence factors

纳米氮化钛粉体的制备及其影响因素

李景国 , 高濂 , 张青红 , 孙静 , 李蔚

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.04.009

以纳米TiO2为原料,采用氨气氮化法制备了纳米TiN粉体.研究了制备过程中的影响因素.实验结果表明:在800℃下,氮化反应5h,纳米TiO2全部转化成纳米TiN,制备的纳米TiN粉体的粒径为20nm左右,采用化学分析法分析了纳米TiN的纯度,采用DTA-TG技术研究了纳米TiN的热稳定性.

关键词: 纳米TiN , 纳米TiO2 , 制备 , 影响因素

直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜

姜洪波 , 高濂 , 李景国

无机材料学报

首先采用溶胶-凝胶法在Al₂O₃基体上制备了TiO₂纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO₂纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al₂O₃陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h.

关键词: 直接氮化法 , nanocrystalline TiN film , Ti0₂ film

原位氮化法制备纳米TiN-Al₂O₃复合粉体

李景国 , 高濂 , 郭景坤

无机材料学报

以化学共沉淀法制备的纳米ＴｉＯ_２－Ａｌ_２Ｏ_３复合粉体为原料,采用原位选择性氮化的方法制备了纳米ＴｉＮ－Ａｌ_２Ｏ_３复合粉体．应用化学热力学原理分析、计算了氮化反应的条件和机理,研究了氮化条件对氮化反应的影响．实验结果表明,氮化反应在７００℃时开始进行,在９００℃保温５ｈ,氮化反应进行完全,ＴＥＭ照片显示纳米ＴｉＮ颗粒均匀分布于Ａｌ_２Ｏ₃基体中,粒径为５０～７０ｕｍ．

关键词: 氮化钛 , alumina , In-Situ nitridation , nanopowders

聚丙烯酸铵在纳米氮化钛上的定量吸附研究

李景国 , 高濂 , 郭景坤

无机材料学报

研究了聚丙烯酸铵在纳米氮化钛粉体上的定量吸附及其影响因素．实验结果表明：纳米氮化钛的等电点在ｐＨ＝３．８左右，加入分散剂ＰＡＡ－ＮＨ_４后，等电点移至ｐＨ＝２附近，ＰＡＡ－ＸＨ_４在纳米氮化钛上的吸附量随吸附时间的增加而增加；同时溶液的酸碱性也影响吸附量，扫描俄歇分析结果表明：ＰＡＡ－ＮH₄吸附在纳米氮化钛颗粒表面上．

关键词: 聚丙烯酸铵 , quantitative adsorption , nano-size titanium nitride

聚丙烯酸铵在纳米氮化钛上的定量吸附研究

李景国 , 高濂 , 郭景坤

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.02.009

研究了聚丙烯酸铵在纳米氮化钛粉体上的定量吸附及其影响因素.实验结果表明:纳米氮化钛的等电点在pH=3.8左右,加入分散剂PAA-NH4后,等电点移至pH=2附近,PAA-NH4在纳米氮化钛上的吸附量随吸附时间的增加而增加,同时溶液的酸碱性也影响吸附量,扫描俄歇分析结果表明:PAA-NH4吸附在纳米氮化钛颗粒表面上.

关键词: 聚丙烯酸铵 , 定量吸附 , 纳米氮化钛

原位氮化法制备纳米TiN-Al2O3复合粉体

李景国 , 高濂 , 郭景坤

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.03.008

以化学共沉淀法制备的纳米TiO2-Al2O3复合粉体为原料,采用原位选择性氮化的方法制备了纳米TiN-Al2O3复合粉体.应用化学热力学原理分析、计算了氮化反应的条件和机理,研究了氮化条件对氮化反应的影响.实验结果表明,氮化反应在700℃时开始进行,在900℃保温5h,氮化反应进行完全,TEM照片显示纳米TiN颗粒均匀分布于Al2O3基体中,粒径为50～70nm.

关键词: 氮化钛 , 氧化铝 , 原位氮化 , 纳米粉

TiN-Al2O3纳米复合材料的力学性能和导电性能

李景国 , 高濂 , 郭景坤

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.022

以纳米TiN和α-Al2O3粉体为原料,采用球磨混合法制备了纳米TiN-Al2O3复合粉体,通过热压烧结得到致密烧结体.研究了纳米TiN颗粒对Al2O3材料力学性能和导电性能的影响,实验结果表明:在Al2O3基体中加入15vol%TiN纳米颗粒时,Al2O3材料的弯曲强度和断裂韧性分别从370MPa和3.4MPa.m1/2提高到690MPa和5.1MPa.m1/2,随着TiN添加量的增加,复合材料的电阻率逐渐降低,在25vol%TiN时达到最低值(6.5×10-3Ω.cm).

关键词: 纳米TiN , Al2O3 , 力学性能 , 导电性能

直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜

姜洪波 , 高濂 , 李景国

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.040

首先采用溶胶-凝胶法在Al2O3基体上制备了TiO2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al2O3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h.

关键词: 直接氮化法 , 纳米晶TiN薄膜 , TiO2薄膜

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