杨卫桥
,
干福熹
,
邓佩珍
,
徐军
,
李杼智
,
蒋成勇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.011
γ-LiAlO2晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2晶体的缺陷.结果表明,提拉法生长的γ-LiAlO2晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界.并发现在其(100)晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异.
关键词:
γ-LiAlO2晶体
,
缺陷
,
位错
,
同步辐射X射线形貌术
,
GaN衬底
