李欣予
,
王若铮
,
吴胜利
,
李尊朝
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173205.0344
基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响.仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiNx和HfO2多种不同组合的叠层结构.仿真及实验结果表明:含有高k材料的栅绝缘层叠层结构较单一SiNx绝缘层结构的TFT性能更优;对SiNx/HfO2/SiNx栅绝缘层叠层结构TFT,HfO2取40 nm较为合适;对含有高k材料的3层和5层绝缘层叠层结构TFT,各叠层厚度相同的对称结构TFT性能最优.本文通过仿真获得了TFT性能较优的器件结构参数,对实际制备TFT器件具有指导作用.
关键词:
半导体器件仿真
,
薄膜晶体管
,
绝缘层
,
氮化硅
,
二氧化铪
,
叠层结构
