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李洪芹 , 孙晓玮 , 夏冠群 , 程知群 , 王德斌
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.007
本文用HEMT小信号等效电路模型,考虑到HEMT与MESFET结构上的不同点,具体分析了HEMT小信号等效电路中串联电阻、寄生电感、寄生电容和本征元件参数的提取方法.采用这些方法,提取了HEMT器件32-39GHz八个频率点的S参数值.实验结果表明,该方法简单有效,具有可操作性.
关键词: HEMT , 参数提取 , 小信号等效电路
李洪芹 , 夏冠群 , 孙晓玮
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.009
深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAspHEMT电性能的影响,实验结果表明,pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;当膜厚超过200nm时,将影响pHEMT器件电特性.
关键词: AlGaAs/InGaAs/GaAs , pHEMT , SiNx钝化
