曾庆明
,
徐晓春
,
刘伟吉
,
李献杰
,
敖金平
,
王全树
,
郭建魁
,
赵永林
,
揭俊锋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.018
叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果.
关键词:
GaAs
,
HBT
,
微波单片集成电路
曾庆明
,
吕长志
,
刘伟吉
,
李献杰
,
赵永林
,
敖金平
,
徐晓春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.010
叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺,给出其测试结果,最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz.
关键词:
GaN
,
HEMT
刘伟吉
,
曾庆明
,
李献杰
,
敖金平
,
赵永林
,
郭建魁
,
徐晓春
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.015
发展了WN/W难熔栅自对准工艺.WN/W栅在850oC下退火,保持了较好的形貌.在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管.在1×50μm的HFET中,实现了最大跨导约为56mS/mm,阈值电压为3.5V.与p型HFET的-3V的阈值基本对称.反向击穿电压为4～5V.
关键词:
WN/W
,
难熔栅
,
CHFET
,
HIGFET
殷景志
,
王新强
,
李献杰
,
杜国同
,
张树人
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.005
采用LP-MOVPE技术,在(001)InP衬底上生长的InAs /InP自组装量子点是无序的.为了解决这个问题,在InP衬底上先生长张应变的GaAs层,然后再生长InAs层,可得到有序化排列的量子点.本文对张应变GaAs层引入使量子点有序化排列的机理进行了分析.为生长有序化、高密度、均匀性好自组装量子点提供了依据.
关键词:
自组装量子点
,
有序生长
,
张应变GaAs层
李献杰
,
曾庆明
,
徐晓春
,
敖金平
,
刘伟吉
,
梁春广
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.012
用H3PO4:H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀,并将其应用于InP/InGaAsHBT制作,发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.
关键词:
InP
,
InGaAs
,
选择腐蚀
,
HBT
