石礼伟
,
李玉国
,
王强
,
薛成山
,
庄惠照
稀有金属材料与工程
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性.结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中.以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心.
关键词:
磁控共溅射
,
SiC纳米颗粒
,
微观结构
,
光致发光
王强
,
李玉国
,
石礼伟
,
薛成山
稀有金属材料与工程
外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于431 nm左右的蓝色荧光峰.随电化学腐蚀条件的增强,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716 nm处的红光峰.样品中随碳注入而注入的杂质C=O复合体镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面,形成典型的纳米硅镶嵌结构.正是这种结构导致了蓝光发射.
关键词:
碳注入
,
氢退火
,
电化学腐蚀
,
纳米硅镶嵌结构
石锋
,
李玉国
,
孙钦军
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00234
采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2 复合薄膜,然后在N2保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出低维CuO纳米结构,并对其微观结构和光致发光进行研究.退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表面出现纳米线状结构,表面组分主要包括Cu、O元素,冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜.该温度下退火后,光致发光谱中出现紫外光和紫光,这是由于复合薄膜中CuO的导带底到Cu空穴缺陷能级的跃迁导致的.
关键词:
射频磁控共溅射法
,
CuO/SiO2复合薄膜
,
微观结构
,
光致发光特性
