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SiC颗粒的高温氧化动力学

李玉海黄晓莹王承志李颖

材料研究学报

研究了SiC颗粒在927^oC、1027^oC和1127^oC空气中的高温氧化动力学. 结果表明, 温度越高SiC颗粒的氧化速率常数越大, 氧化反应越容易进行;
SiC颗粒的高温氧化分为氧化前期和氧化后期两个阶段. 氧化前期的反应速率受界面化学反应的控制; 氧化后期受扩散控制, 其表观活化能远比氧化前期的大. SiC颗粒的高温氧化过程符合两个阶段式模型: 氧化前期的氧化速率常数k_c=143.37exp(-70994}/(RT))(mg m^-2 min^-1), 氧化后期的氧化速率常数k_D=3.61108exp((-192758)(RT))(mgm^-2 min^-1).

关键词: 材料科学基础学科 , SiC particle , high temperature oxidation kinetics , oxidation rate