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紫外-近紫外基白光LEDs用荧光粉的研究进展

李盼来 , 王振动 , 罗志远 , 王志鹏 , 崔荣梅 , 李婷 , 徐书超 , 白琼宇 , 王志军

人工晶体学报

白光LEDs作为新一代照明光源,和前几代照明光源相比,具有发光效率高、使用寿命长、节能环保等一系列突出的优点.本文总结了最近几年用于白光LEDs的紫外-近紫外激发型荧光粉的研究结果,梳理了各个基质体系荧光粉的发展现状,并展望了白光LEDs用荧光粉的研究趋势.

关键词: 白光LEDs , 荧光粉 , 紫外-近紫外光

橙红色荧光粉Ca10Li(PO4)7∶Sm3+的合成及其发光特性研究

滕晓云 , 白琼宇 , 边亚燕 , 杨保柱 , 段平光 , 李婷 , 徐书超 , 王志军 , 李盼来

人工晶体学报

采用固相法合成了Ca10Li(PO4)7∶xSm3+橙红色荧光粉,研究了材料的发光性质.结果表明,以404 nm近紫外光作为激发源时,Ca10Li(PO4)7∶xSm3+表现为多峰特征,主峰位于569 nm、606 nm、651 nm和713 nm,分别对应Sm3+的4G5/2→6H5/2、4G5/2→6H7/2,4 G5/2 →6H9/2 and 4 G5/2 →6H11/2跃迁发射,且606 nm发射峰最强,材料发射橙红光;监测606 nm发射峰,对应的激发光谱包含363 nm、376 nm、404 nm和478nm多个激发峰;改变Sm3+的掺杂量,发现Ca10 Li(PO4)7∶Sm3+的发射强度表现出先增大、后减小的变化趋势,x=0.05时发射强度最大,即存在浓度猝灭现象,造成浓度猝灭的机理为电多极相互作用,Ca10Li(PO4)7∶Sm3+的色坐标基本不变,位于橙红色区域.Ca10Li(PO4)7∶Sm3+具有较好的温度特性,激活能为0.188 eV.

关键词: 发光 , Ca10Li(PQ4)7∶Sm3+ , 固相法 , 荧光粉

新型红色荧光粉KMgLa(PO4)2∶Eu3+的发光特性

白琼宇 , 李响 , 田植 , 李勇 , 李婷 , 袁小先 , 王志军 , 李盼来 , 杨志平

人工晶体学报

采用高温固相法制备了Eu3+掺杂的KMgLa(PO4)2荧光粉.采用X射线衍射技术及光谱技术研究了材料的晶相及发光特性.研究结果显示,少量的Eu3+并未影响KMgLa(PO4)2的晶相;以260 nm紫外光或394 nm近紫外光作为激发源时,KMgLa(PO4)2∶Eu3+都发射红色光,主发射峰位于595 nm,对应Eu3+的5 D0→7F2跃迁发射;随着Eu3+掺杂量的逐渐增大,对应KMgLa(PO4)2∶ Eu3+材料的发射强度随之增大,当掺杂量为0.06Eu3+时,发射强度最大,且存在浓度猝灭现象,对应的临界距离为1.696 nm;材料的CIE参数显示,材料位于红色区域.

关键词: 发光 , 荧光粉 , KMgLa(PO4)2 , 铕离子

LiCaPO4:Tb3+材料的制备及其发光特性

李盼来 , 郭树青 , 王志军 , 杨志平 , 郭庆林

人工晶体学报

采用高温固相法合成了LiCaPO4:Tb3+绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质.LiCaPO4: Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于437 nm、491 nm、545 nm、587 nm和625 nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7FJ =6,5,4,3跃迁发射,主峰为545 nm;监测545 nm发射峰,所得激发光谱由4f75d1宽带吸收(200~330 nm)和4f-4f电子吸收(330~400 nm)组成,主峰为380 nm.研究了Tb3+掺杂浓度,电荷补偿剂Li+、Na+、K+和Cl-及敏化剂Ce3+对LiCaPO4: Tb3+材料发射强度的影响,发现调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂或敏化剂均可提高材料的发射强度.

关键词: 白光LED , LiCaPO4:Tb3+ , 发光特性

Dy3+激活的LiCaBO3材料发光特性研究

王志军 , 李盼来 , 杨志平 , 郭庆林

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01069

采用固相法制备了LiCaBO3∶Dy3+发光材料. 材料的发射光谱为一多峰宽谱, 主峰分别为484、577和668nm; 监测577nm发射峰, 对应的激发光谱为一主峰位于331、368、397、433、462和478nm的宽谱. 研究了Dy3+浓度对材料发射光谱及发光强度的影响, 结果随Dy3+浓度的增大, 材料的黄、蓝发射峰强度比(Y/B)逐渐增大; 同时, 发光强度呈现先增大后减小的趋势, 最大值对应的Dy3+浓度为3.00mol%, 其浓度猝灭机理为电偶极电偶极相互作用. 引入Li+、Na+或K+可增强材料的发射强度. InGaN管芯激发下的LiCaBO3∶Dy3+材料呈现很好的白光发射, 色坐标为x=0.3001, y=0.3152.

关键词: 白光LED , LiCaBO3 , Dy3+ , luminescence characteristics

Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程研究

张金平 , 刘峰 , 郭庆林 , 钦明亮 , 梁宝来 , 李盼来

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.05.022

本文在非同时读出条件下,采用实时数据采集系统,实验研究了e偏振光写入Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程,发现不同的写入光强比和写入总光强对晶体中两波耦合过程产生明显的影响;当He-Ne 632.8nm激光通过Ce∶KNSBN晶体时,光扇效应存在明显的写入光强阈值特性,其阈值约为20mW/cm2.依据实验结果对考虑光扇影响的耦合波方程进行了修正,其数值计算与实验结果基本符合.

关键词: Ce∶KNSBN晶体 , 光折变 , 两波耦合 , 动态特性 , 阈值

Eu2+在KNaCa2(PO4)2中的发光及晶体学格位

王志军 , 李妍 , 王颖 , 李盼来 , 郭庆林 , 杨志平

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00731

采用高温固相法制备了KNaCa2(PO4)2:Eu2+蓝色荧光粉, 并研究了材料的发光特性. 在400 nm近紫外光激发下, 材料呈非对称的单峰发射, 主峰位于470 nm. 监测470 nm发射峰, 对应的激发光谱覆盖200~450 nm, 主峰位于400 nm, 说明材料能够很好的吸收紫外-近紫外光, 发射蓝色光. 利用van Uitert公式计算了Eu2+取代KNaCa2(PO4)2中Ca2+时所占晶体学格位, 得出461和502 nm发射分别归属于八配位和六配位的Eu2+发射. 研究了Eu2+掺杂浓度对KNaCa2(PO4)2:Eu2+材料发射强度的影响, 结果显示Eu2+的最佳掺杂浓度为1mol%, 利用Dexter理论得出其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用.

关键词: 白光LED , KNaCa2(PO4)2 , Eu2+ , luminescence , crystallographic sites

抽运光偏振态对晶体两波耦合增益的影响

郭庆林 , 李彦 , 张云英 , 赵云 , 李盼来 , 哈艳

人工晶体学报

采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,以532 nm单频固体激光器为光源,研究了抽运光偏振态对Ce: KNSBN晶体两波耦合有效增益的影响.结果表明:在信号光为e光且入射光夹角为30 °条件下,当抽运光偏振态与e光夹角为10 °时,有效增益最大;通过比较信号光打开与关闭条件下不同偏振态抽运光入射晶体时信号光及抽运光透射光强,分析得出最大增益存在的原因是偏振角为10 °时抽运光的o光分量很好的起到了擦除光扇的作用,抑制了光扇的发生,从而增益最大.取抽运光偏振态与e光夹角为10 °,研究入射光光强比对Ce: KNSBN晶体两波耦合有效增益的影响,结果发现随入射光光强比的增大,有效增益先增大后减小,光强比为1: 50时对应的增益最大为33.8.同时对研究结果进行了相应的物理解释.

关键词: Ce:KNSBN晶体 , 两波耦合 , 偏振态

Bi3+激活的Sr2SiO4材料发光特性研究

李盼来 , 庞立斌 , 高少杰 , 王志军 , 杨志平 , 熊志军

硅酸盐通报

采用溶胶-凝胶法制备了Sr2SiO4:Bi3+发光材料.X射线衍射谱显示其为纯相的Sr2SiO4晶体.测量了Sr2SiO4∶ Bi3+材料的激发与发射光谱,结果显示,材料的发射光谱为一单峰宽带,主峰位于441nm处;监测441nm发射峰,所得材料的激发光谱为一主峰位于376nm处的单峰宽带.研究了Bi3+掺杂浓度对Sr2SiO4∶ Bi3+材料发射光谱的影响,结果显示,随Bi3+掺杂浓度的增大,Sr2SiO4∶ Bi3+材料的发射光谱峰值强度表现出先增大后减小的趋势,在Bi3+掺杂物质的量浓度为3%时,可获得最大的峰值强度.加入电荷补偿剂Li+、Na+和K+,均提高了Sr2SiO4∶ Bi3+材料发射光谱峰值强度,其中以加入Li+的情况最明显.

关键词: Sr2SiO4:Bi3+ , 发光特性 , Bi3+ , 电荷补偿

Ce:KNSBN晶体写入光位置对两波耦合增益的影响

郭庆林 , 李彦 , 李盼来 , 邓桂英 , 怀素芳 , 李旭

人工晶体学报

本文采用非同时读出条件下两波耦合实验装置,以532 nm的单频固体激光器为光源,在不同写入光夹角θ、抽运光的偏振方向与e偏振光的方向呈10°、信号光为e偏振光及不同信号光与抽运光光强比条件下,通过改变写入光在Ce: KNSBN晶体内的不同位置研究其对两波耦合有效增益的影响.研究结果表明,在相同角度下写入光强比为1: 10,写入光在晶体内位置d=0.1 cm时最佳,有效增益达到最大.在最佳写入光位置,写入光强比为1: 10时,在写入光夹角为24°时两波耦合有效增益为最大.并对实验结果进行了理论拟合与分析.

关键词: 光折变 , 写入光 , 耦合位置 , Ce:KNSBN晶体 , 有效增益

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