卞铁荣
,
李虹艳
,
卢正欣
,
高坤
,
井晓天
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.09.004
采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49.57%Ni-5.6%Cu合金薄膜.XRD图谱表明,该薄膜为非晶态.对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现:薄膜分别经550℃×0.5 h、650℃×0.5 h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180 MPa、2.7%;90 MPa、1.4%.
关键词:
硅基片
,
直流磁控溅射
,
TiNiCu薄膜
,
非晶态
,
晶化
,
退火
,
形状记忆
,
恢复应力
,
恢复应变
