贾贵西
,
李言
,
李洪涛
,
蒋百灵
机械工程材料
采用非平衡磁控溅射技术在45钢片和单晶硅片上制备出自润滑碳/铬复合镀层;采用X射线光电子能谱仪检测镀层化学成分,用X射线衍射仪分析镀层相结构,用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察镀层显微结构,用销一盘式摩擦磨损试验机研究镀层自润滑性能.结果表明:镀层相结构为非晶态,主要由碳和铬两种单质及其化合物组成;铬靶电流影响镀层显微结构,随着电流增加,镀层表面变得粗糙,颗粒间结合越来越紧密,镀层摩擦因数增大;铬靶电流为0.1A和0.3A时镀层有大量石墨相存在,具有良好的自润滑性能和承载能力.
关键词:
磁控溅射
,
碳/铬复合镀层
,
自润滑性能
李言
,
曹亚
高分子材料科学与工程
以可聚合表面活性剂甲基丙烯酰氧乙基十二烷基二甲基溴化铵（C12N＋）为乳化剂,羧端基十二烷基三硫代酯（DMP）为可逆加成-断裂链转移（RAFT）试剂,苯乙烯为单体,在不使用助稳剂条件下采用RAFT乳液聚合成功制备了聚苯乙烯纳米颗粒并对聚合机理及反应条件进行了初步研究。结果表明,C12N＋乳化剂能在反应过程中参与单体共聚,形成的预聚物能起到助稳剂作用,反应温度以70℃为宜,产物平均粒径约为36nm,分子量分布小于1.5。
关键词:
可逆加成-断裂链转移聚合
,
可聚合表面活性剂
,
乳液聚合
黄东
,
李言
,
盖景刚
,
曹亚
高分子材料科学与工程
对三种不同类型高密度聚乙烯（HDPE）进行高压毛细管挤出,均发现特殊的温度窗口效应,线性均聚5000S在v=8mm/min时的温度窗口为145℃~150℃;己烯共聚HXM TR-571在v=1mm/min时的窗口为150℃~153℃;双峰型GC100S在v=5mm/min的窗口为143℃~145℃,温度窗口内挤出压力骤降至最小值,挤出平稳,挤出物表面光滑,避免了压力振荡和变形,窗口与PE的分子量、支化度和柱塞速率有关。效应产生的原因是在温度窗口内发生了PE晶形相转变。不同挤出温度挤出物的差示扫描量热（DSC）分析表明,HXM TR-571和GC100S在窗口温度下挤出物具有较高的结晶温度（Tc）和较低熔点（T（m 2））。
关键词:
高密度聚乙烯
,
高压毛细管
,
温度窗口效应
,
相转变
肖继明
,
李言
,
吴玉生
,
张立武
,
李俊峰
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2006.01.011
针对D406A超高强度钢的性能特点,选用了五种麻花钻进行钻削试验.结果表明,HSP15含钴超硬高速钢麻花钻较适于经热处理强化后D406A超高强度钢的钻削加工,且在钻头几何参数和钻削用量选择合理、使用合适切削液的条件下,可有效地改善D406A超高强度钢的钻削性能.
关键词:
超高强度钢
,
钻削试验
,
刀具材料
贾贵西
,
李言
,
李洪涛
,
胡鹏飞
,
张翔
,
蒋百灵
功能材料
采用闭合场非平衡磁控溅射技术,固定碳靶电流参数,调节铬靶电流参数,在GCr15轴承钢球、45#钢和单晶硅基体上制备出自润滑Cr/C复合镀层.用XRD对镀层相结构进行分析,测试了镀层的摩擦系数、磨损率、结合强度、硬度和韧性,用光学显微镜观察镀层磨损形貌.结果表明,镀层相结构为非晶态,随铬靶电流变大逐渐向晶态转变;与未镀层的基体相比,镀层有良好的摩擦磨损性能和载荷承载能力;镀层随铬靶电流增加,硬度逐渐降低,韧性逐渐提高.所获铬电流为0.1和0.3A镀层有很好的自润滑性能,且后者有良好的综合机械性能.
关键词:
磁控溅射
,
溅射工艺参数
,
Cr/C自润滑镀层
,
机械性能
李言
,
王肖烨
,
李淑娟
,
郑建明
,
袁启龙
人工晶体学报
针对单晶SiC切割过程切割效率低,加工表面粗糙度和表面不平度差以及线锯磨损和断裂严重等问题,提出采用线锯横向施加超声振动的方法切割单晶SiC.通过实验对比研究了普通切割与超声辅助切割两种切割工艺,结果表明:与普通切割相比,超声辅助切割单晶SiC,锯切力减小37％～52％,且减小趋势随工件进给速度的增大更明显；切片表面粗糙度降幅约为26％～55％,晶片表面形貌均匀,无划痕,明显优于普通切割方法所获得的表面；线锯磨损降低约近40％；切割效率提高近56％.
关键词:
SiC单晶
,
超声辅助线锯切割
,
表面粗糙度
王肖烨
,
李言
,
李淑娟
,
肖强
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2010.06.018
通过旋转条件下切割SiC单晶片,分析了切片表面微观形貌特点,研究了线锯速度、工件进给速度和工件转速对切片表面粗糙度与切向锯切力的影响规律.结果表明:增加工件旋转,切片表面平整光滑,沿线锯运动方向没有明显沟槽及凸起,质量明显得到改善;当转速由0增加到12 r/min时,切片表面粗糙度由1.532 μm降到0.513μm;线锯速度和工件旋转速度增大、工件进给速度减小,切向锯切力减小,表面粗糙度减小.当线锯速度和工件旋转速度过大,切向锯切力和表面粗糙度反而会有所增加.
关键词:
工件旋转
,
SiC单晶片
,
切向锯切力
,
表面粗糙度
王肖烨
,
李言
,
李淑娟
,
袁启龙
,
杨明顺
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2012.03.014
SiC单晶片表面质量对其后续半导体器件的制造有很大影响,但其材料的高硬度和高脆性,使切片过程变得非常困难.本文在往复式电镀金刚石线切割装置上采用单因素和正交法进行了SiC单晶切割实验,研究了工件转速、线锯速率、工件进给速率、线锯磨损对晶片表面粗糙度的影响规律以及三维形貌特点.结果表明:附加工件旋转运动,晶片表面质量提高,划痕减少、深度变浅；线速增大、工件旋转速率增大或工件进给速率减小,表面粗糙度值减小；线锯磨损晶片表面粗糙度值增大.相对线速和线锯磨损,工件转速和工件进给速率对晶片表面质量及粗糙度的影响更大.应在综合考虑效率和线锯损耗的基础上合理确定切割参数,尤其是工件进给速率.
关键词:
金刚石线锯
,
工件旋转
,
SiC单晶片
,
工艺参数
,
表面质量
