刘芳芳
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孙云
,
张力
,
李长健
,
乔在祥
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何青
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王赫
人工晶体学报
本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10～100 mW/cm2范围内的性能参数.结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于75 mW/cm2时,电池性能变化不大;当光强低于70 mW/cm2时,电池性能衰减明显.这是由于随着光强的降低,RS(串联电阻)值和RSH(并联电阻)值都在升高.其中,RSH值的增大使得CIGS电池的弱光特性变好,但较小的RSH值并不能弥补RS所导致电池性能的衰退.最后,发现高Ga含量的CIGS薄膜电池(8.7%)比低Ga含量(6.9%)的电池弱光特性好.
关键词:
CIGS薄膜
,
太阳电池
,
光强特性
,
弱光特性
薛玉明
,
孙云
,
李凤岩
,
朴英美
,
刘维一
,
周志强
,
李长健
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.033
本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0～0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好.
关键词:
异质结
,
能带边失调值
,
CIGS
,
OVC
,
太阳电池
薛玉明
,
孙云
,
朴英美
,
李长健
功能材料
通过实验制备得到OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuIn0.7Ga0.3Se2、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值△Ec、△Ev.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.
关键词:
异质结
,
能带边失调值
,
CIGS
,
OVC
刘芳芳
,
孙云
,
张力
,
何青
,
李长健
人工晶体学报
本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数.在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内.量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520 nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520～1100 nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的.这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键.
关键词:
Cu(In,Ga)Se2
,
太阳电池
,
品质因子
,
反向饱和电流
,
二极管特性
王赫
,
刘芳芳
,
孙云
,
何青
,
张毅
,
李长健
人工晶体学报
本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se_2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布.随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压V_(oc)明显增大.同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围,减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流J_(sc)的损失,从而有效地提高了电池的转换效率.
关键词:
Ga梯度分布
,
吸收层表面
,
开路电压V_(oc)
,
短路电流J_(sc)
