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LiF作电子注入缓冲层对有机电致发光器件电容的影响

李颖弢 , 刘肃 , 王方聪 , 张春林 , 岳红菊

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.003

已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED), 可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度.文章主要对OLEDs (A): Al/Alq3/ITO和(B): Al /LiF(1nm)/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1 nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72 500 pF减小到12 500 pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器件的寿命,节约了能源,进一步改善了器件的性能.

关键词: OLEDs , LiF , 电容

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