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多孔陶瓷制备技术的研究进展

王俊波 , 杜商安 , 周芳 , 刘冠芳 , 李晋 , 曹晓波

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.02.009

介绍了多孔陶瓷的传统制备技术,讨论了9种新发展的制备技术.在此基础上,分析了目前多孔陶瓷制备技术存在的问题,提出了今后多孔陶瓷制备技术的研究重点和发展方向.

关键词: 多孔陶瓷 , 制备技术 , 发展趋势

Si-B-Bi-O系钛酸锶陶瓷烧结及其介电性能的研究

刘冠芳 , 周芳 , 李晓力 , 杜商安

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.05.011

研究了SiO2-B2O3-Bi2O3加入量、烧结温度对钛酸锶陶瓷电容器材料性能的影响.借助扫描电镜和宽频介电仪研究陶瓷的烧结过程及其介电性能.结果表明:SrTiO3和(Si,B,Bi)摩尔比为75:25,(Si,B,Bi)摩尔比为15:30:55的样品在1 250℃烧成表现出良好的高频介电性能,介电常数为355,介质损耗角正切值低于5×10-4.

关键词: 钛酸锶 , Si-B-Bi-O , 陶瓷 , 介电性能

成型压力对钛酸锶陶瓷电容器介电性能的影响

刘冠芳 , 李晓力 , 周芳 , 杜商安

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.06.012

研究了不同的成型压力对钛酸锶陶瓷电容器介电性能的影响.借助扫描电镜和宽频介电测试仪研究陶瓷的微观结构及其介电性能.实验结果表明,当成型压力从5 MPa增加到6 MPa时,坯体的密度突然增大,6 MPa以后密度增加缓慢;1 380℃烧结后,成型压力为6 MPa时试样的介电性能最佳.

关键词: 成型压力 , 钛酸锶 , 陶瓷电容器 , 介电性能

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