何知宇
,
赵北君
,
朱世富
,
陈宝军
,
李佳伟
,
张熠
,
杜文娟
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01195
对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多晶合成和单晶生长进行了研究.以高纯(99.9999%)As、Ge、Cd为原料,按照CdGeAs2化学计量比并适当富Cd、As配料,采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法合成出CdGeAs2多晶材料,使用改进的坩埚下降法生长出φ15mm×45mm、外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体.XRD全谱拟合精修、红外傅里叶分光光度计测试分析表明:合成的CdGeAs2晶体具有单相四方黄铜矿结构,晶格常数为a=b=0.5946nm,c=1.1217nm;生长出的CdGeAs2单晶体结构完整,结晶性好,晶体的易解理面为(101)面,红外透明范围589～4250cm-1,拟合计算出CdGeAs2晶体的禁带宽度为0.67eV.
关键词:
砷锗镉
,
多晶合成
,
单晶生长
,
XRD分析
,
红外透过谱
郑萍
,
陆维
,
杜文娟
,
孟中岩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.021
采用溶胶-凝胶法和快速热处理工艺,分别以不锈钢(SS)和镍合金(NC)为基片,成功制备了表面均匀、无裂纹的锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜.为了缓解金属基片与PZT薄膜之间由于晶格常数和热膨胀系数不同所造成的不匹配状态,引入了镍酸镧(LaNiO3,简写为LNO)薄膜作为过渡层.XRD和SEM结果表明,经过600℃下30min的晶化,PZT薄膜已经由无定型转化为钙钛矿相.以LNO为过渡层,在NC金属基片上制备的PZT薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗(1kHz下ε=717,tanδ=0.08),较低的漏电流(50kV/cm下J=2.6×10-7A/cm2)以及较好的铁电性能(+Pr=90μC/cm2,-Pr=14 μC/cm2,Ec=32.5kV/cm).同时,在SS基片上,通过引入LNO过渡层,制备的PZT薄膜也具有比较好的性能.
关键词:
PZT
,
LNO,sol-gel
,
金属基片
杜文娟
,
陆维
,
郑萍
,
孟中岩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.003
采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺分别在Pt/Ti/SiO2/Si和LNO/Si电极上制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜.研究了不同电极材料对PZT铁电薄膜的微结构及电性能的影响.(100)择优取向的PZT/LNO薄膜的介电性能和铁电性能较(111)/(100)取向的PZT/Pt薄膜略有下降,但在抗疲劳特性和漏电流特性方面都有了很大提高.PZT/LNO薄膜1010次极化反转后剩余极化几乎保持未变,直至1012次反转后,剩余极化仅下降了17%.
关键词:
PZT薄膜
,
LNO电极
,
电性能
,
疲劳
,
Pt电极
