王霖
,
田林海
,
尉国栋
,
高凤梅
,
郑金桔
,
杨为佑
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01009
石墨烯具有优异的物理和电学性能, 已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一. 本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性, 详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术, 系统论述了不同SiC和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展, 并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展. 外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备, 同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控, 有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术, 为其器件应用奠定基础.
关键词:
石墨烯
,
epitaxial growth
,
devices
,
progress
,
review
谢志鹏
,
杨为佑
,
王华涛
,
刘国全
,
苗赫濯
,
稀有金属材料与工程
通过催化剂辅助有机前驱体热解,合成了单晶Si3N4纳米带.其工艺主要包括3个步骤:有机前驱体低温交联固化、高能球磨粉碎和高温热解.采用SEM、XRD、EDS、TEM和HRTEM等分析手段对Si3N4纳米带进行了详细的表征,对Si3N4纳米带的生长机制进行了深入的探讨.
关键词:
有机前驱体
,
热解
,
Si3N4纳米带
,
固-液-气-固机制
易中周
,
肖冰
,
杨为佑
,
谢志鹏
无机材料学报
以氢氧化铝为初始原料,通过球磨过程中高纯氧化铝磨介的磨屑作为晶种引入氢氧化铝中.引入的α-Al2O3品种使氢氧化铝于1100℃×2h的条件下转变为α相氧化铝.而且随着α-Al2O3品种引入量的增加,煅烧后氧化铝颗粒的平均粒径减小,颗粒尺寸分布均匀.煅烧得到的氧化铝超细粉经热压烧结后,Al2O3晶粒形貌随品种的引入量的不同而发生变化.未引入α-Al2O3品种的条件下,晶粒形状主要为等轴状;晶种引入后,晶粒发育成六角片状;而且随着晶种引入量进一步增加时,六角片状晶粒尺寸减小,当晶种数量增加到20wt％以上时,晶粒发育生长为长柱状.
关键词:
氢氧化铝
,
α-Al2O3 seed
,
alumina grain morphology
杨为佑
,
陈振华
,
吴艳军
,
孙亦
材料导报
研究了半固态非枝晶组织的两个基本特性:流变性和触变性,分析了影响流变性和触变性大小的各个因素,总结了国内外学者针对流变性和触变性建立的几种有代表性的模型.对理解半固态加工技术的两个基础理论有一定的帮助.
关键词:
半固态
,
非枝品组织
,
流变性
,
触变性
,
模型
易中周
,
肖冰
,
杨为佑
,
谢志鹏
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.06.011
以氢氧化铝为初始原料,通过球磨过程中高纯氧化铝磨介的磨屑作为晶种引入氢氧化铝中.引入的α-Al2O3晶种使氢氧化铝于1100℃×2h的条件下转变为α相氧化铝.而且随着α-Al2O3晶种引入量的增加,煅烧后氧化铝颗粒的平均粒径减小,颗粒尺寸分布均匀.煅烧得到的氧化铝超细粉经热压烧结后,Al2O3晶粒形貌随晶种的引入量的不同而发生变化.未引入α-Al2O3晶种的条件下,晶粒形状主要为等轴状;晶种引入后,晶粒发育成六角片状;而且随着晶种引入量进一步增加时,六角片状晶粒尺寸减小,当晶种数量增加到20wt%以上时,晶粒发育生长为长柱状.
关键词:
氢氧化铝
,
α-Al2O3晶种
,
氧化铝晶粒形貌
王霖
,
田林海
,
尉国栋
,
高凤梅
,
郑金桔
,
杨为佑
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01009
石墨烯具有优异的物理和电学性能,已成为物理和半导体电子研究领域的国际前沿和热点之一.本文简单介绍了石墨烯的物理及电学特性,详细评述了在众多制备方法中最有希望实现石墨烯大面积、高质量的外延生长技术,系统论述了不同SiC和金属衬底外延生长石墨烯的研究进展,并简要概述了石墨烯在场效应晶体管、发光二极管、超级电容器及锂离子电池等光电器件方面的最新研究进展.外延生长法已经初步实现了从纳米、微米、厘米量级石墨烯的成功制备,同时可实现其厚度从单层、双层到少数层的调控,有望成为高质量、与传统电子工艺兼容、低成本、大面积的石墨烯宏量制备技术,为其器件应用奠定基础.
关键词:
石墨烯
,
外延生长
,
器件
,
进展
,
综述
郑金桔
,
曹盛
,
高凤梅
,
尉国栋
,
贾龙
,
杨为佑
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12184
采用生长掺杂方式制备出了Cu掺杂ZnSe高效量子点,探索了不同Zn、Se前驱体配比对ZnSe晶核以及ZnSe:Cu量子点质量的影响,并研究了Cu离子掺杂过程中的光谱特征.研究表明,进一步通过在表面掺杂的ZnSe:Cu量子点上同质包覆ZnSe壳层,能够实现其发光效率和稳定性的有效提高；采用配体交换能够实现ZnSe:Cu量子点由油溶性到水溶性的转变.这种新型的掺杂量子点有望替代传统含Cd量子点应用于环境友好型固体发光器件和生物标记.
关键词:
ZnSe
,
量子点
,
生长掺杂
,
光学特性
范翊
,
高凤梅
,
杨为佑
,
蒋大鹏
,
张立功
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.06.006
采用有机前驱体制备纳米材料工艺,制备出不同Al掺杂浓度的6H-SiC纳米线(Al/6H-SiC).用HRTEM、EDX、XRD等对纳米线进行了表征,发现随着起始材料中异丙醇铝含量的增加,所制备的纳米线中的Al浓度也在增加,最高可达到1.25%, HRTEM显示晶格间距为0.26 nm和0.25 nm,对应为6H-SiC的(101)和(102)面间距,Si、C原子比为1∶1.拉曼光谱得到这种6H-SiC的声子能量为100 meV,由吸收光谱带边吸收外推计算得到Al/6H-SiC纳米线光学带隙,掺杂浓度越大,吸收边红移越大.
关键词:
SiC
,
有机前驱体
,
热裂解
,
纳米线
,
掺杂
,
光学性质
