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范翊 , 金华 , 罗劲松 , 杨为有 , 张立功 , 谢志鹏 , 安立楠
稀有金属材料与工程
采用催化裂解有机前驱体方法制备出单晶a-Si3N4纳米带,研究了纳米带的吸收光谱、光致发光(PL)及激发(PLE)光谱.吸收光谱表明约5.0eV禁带宽度的纳米带是间接带半导体吸收.室温下纳米带的PL光谱在1.8eV, 2.3eV和3.0eV处有3个宽峰.PLE光谱显示在能隙中存在多个能级.
关键词: a-Si3N4 , 单晶 , 吸收 , 光致发光
