薛成山
,
艾玉杰
,
孙莉莉
,
孙传伟
,
庄惠照
,
王福学
,
杨兆柱
,
秦丽霞
,
陈金华
,
李红
稀有金属材料与工程
Mg粉在800℃氨气流中氨化60 min,可得到高质量的Mg3N2粉末.XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数a=0.996 57 nm.SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌.PL测试表明,在激发波长为490 nm的情况下,氮化镁粉末存在1个位于545 nm的绿光发光峰.
关键词:
氮化
,
Mg3N2粉末
,
光致发光
杨兆柱
,
薛成山
,
庄惠照
,
王公堂
,
秦丽霞
,
李红
,
陈金华
,
黄英龙
,
张冬冬
功能材料
为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米.
关键词:
磁控溅射
,
GaN
,
V
,
纳米线
杨兆柱
,
薛成山
,
庄慧照
,
王公堂
,
陈金华
,
李红
,
秦丽霞
,
王邹平
稀有金属材料与工程
氨化硅基钒应变层氧化镓膜制备了大量氮化镓纳米线,X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为20～60 nm左右,长度达到十几微米.高分辨透射电子显微镜和选区电子衍射分析结果表明,制备的氮化稼纳米线为六方纤锌矿结构.光致发光谱显示制备的氮化稼纳米线有良好的发光特性.另外,简单讨论了氮化稼纳米线的生长机制.
关键词:
磁控溅射
,
氮化镓
,
纳米线
,
光致发光
薛成山
,
李红
,
庄惠照
,
陈金华
,
杨兆柱
,
秦丽霞
,
王英
,
王邹平
稀有金属材料与工程
利用磁控溅射技术通过氮化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线.用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征.结果表明;制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60 nm,其最大长度可达10 μm左右.室温下光致发光谱测试发现363 nm处的较强紫外发光峰.另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制.
关键词:
纳米结构
,
氮化物
,
溅射
王福学
,
薛成山
,
庄惠照
,
张晓凯
,
艾玉杰
,
孙丽丽
,
杨兆柱
,
李红
功能材料
研究了Ga2O3/In 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.
关键词:
GaN
,
Ga2O3/In
,
氨化
,
磁控溅射
王福学
,
薛成山
,
庄惠照
,
艾玉杰
,
孙丽丽
,
杨兆柱
,
张晓凯
稀有金属材料与工程
用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究.结果表明:当温度低于400℃时,InN非常稳定;但当温度超过500℃时,InN很容易被氧化;当温度增加到600℃时,InN被完全氧化成In2O3.
关键词:
热稳定性
,
InN
,
In2O3
王福学
,
薛成山
,
庄惠照
,
张晓凯
,
艾玉杰
,
孙丽丽
,
杨兆柱
稀有金属材料与工程
用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在N2气中的热稳定性进行了分析.结果表明:当温度超过600℃时,一部分InN粉末被氧化;但当温度增加到800℃时,一部分InN粉末分解成In和N2;一部分InN粉末转变成In2O3粉末.
关键词:
热稳定性
,
N2
,
InN粉末
,
分解
,
In2O3
秦丽霞
,
薛成山
,
庄惠照
,
陈金华
,
李红
,
杨兆柱
功能材料
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的尺寸在 50～200nm之间.
关键词:
磁控溅射
,
GaN纳米线
,
Co
陈金华
,
薛成山
,
庄惠照
,
秦丽霞
,
李红
,
杨兆柱
功能材料
使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒.采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形态,结构和成分.研究结果表明,合成的样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒.最后讨论了GaN纳米棒的生长机理.
关键词:
纳米棒
,
GaN
,
溅射
,
单晶
