杨大鹏
,
赵永年
,
李英爱
,
苏作鹏
,
杜勇慧
,
吉晓瑞
,
杨旭昕
,
宫希亮
,
张铁臣
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.011
本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜.岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来.同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶.
关键词:
高结晶度
,
生长速率
,
生长模式
李英爱
,
刘立华
,
何志
,
杨大鹏
,
马红梅
,
赵永年
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.04.016
采用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(20～150 nm)纤锌矿结构的纳米AlN薄膜.在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场发射特性,发现阈值电场随着厚度的增加有增大的趋势.厚度为44 nm的AlN薄膜样品具有最低的阈值电场(10 V/μm),当外加电场为35 V/μm时,最高发射电流密度为284 μA/cm2.AlN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了AlN薄膜表面势垒发射到真空.
关键词:
氮化铝薄膜
,
场发射特性
,
厚度
