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O2气流量对MOCVD法生长ZnO薄膜性质的影响

马艳 , 杜国同 , 杨树人 , 李正庭 , 李万成 , 杨天鹏 , 张源涛 , 赵佰军 , 杨小天 , 刘大力

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.005

采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜.同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小.PL谱分析表明:随O2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高.这些事实说明:在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量.

关键词: ZnO薄膜 , MOCVD , PL谱

p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望

王新胜 , 杨天鹏 , 刘维峰 , 徐艺滨 , 梁红伟 , 常玉春 , 杜国同

材料导报

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.

关键词: ZnO薄膜 , p型掺杂 , 第一性原理 , MOCVD , MBE

ZnO:Al透明导电薄膜的制备及其特性分析

徐艺滨 , 杜国同 , 刘维峰 , 杨天鹏 , 王新胜

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.031

采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,靶材为AZO(2%质量分数Al2O3)陶瓷靶.对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表征.得出在200W下沉积的膜性能最好,可见光区平均透过率达到89%以上,电阻率最低为9.3×10-4Ω·cm.

关键词: 射频磁控溅射 , 透明导电薄膜 , AZO膜

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