方亮
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彭丽萍
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杨小飞
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周科
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吴芳
材料导报
本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键.从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO:In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明.
关键词:
宽禁带半导体材料
,
ZnO:In薄膜
,
光学性质
,
电学性质
彭宁
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何业东
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宋洪洲
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杨小飞
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蔡小宇
中国有色金属学报
采用碱洗除去铝箔表面的富铅层，在其表面沉积出高度弥散的锡晶核，通过扫描电镜观察铝箔表面沉积锡晶核的分布，并对铝箔腐蚀后的表面形貌以及对腐蚀孔孔径大小进行统计。结合极化曲线测量铝箔的腐蚀电位，研究电沉积弥散锡晶核对高压阳极铝箔电解腐蚀特性的影响。结果表明：沉积锡晶核的电流密度越大，铝箔表面得到的锡晶核面密度越高，晶核越细小；弥散的锡晶核能够和铝基体组成腐蚀微电池，有效地引导铝箔腐蚀发孔，提高铝箔发孔的均匀性，从而提高铝箔的比电容；相对于表面富铅的铝箔，电沉积弥散锡晶核的铝箔表面微电池数量显著下降，使得腐蚀电位提高，铝箔表面未沉积锡晶核处表面活性低，从而导致铝箔的腐蚀减薄减少。
关键词:
电解电容器
,
高压铝箔
,
锡晶核
,
比电容
