王善忠
,
谢绳武
,
庞乾骏
,
郑杭
,
夏宇兴
,
姬荣斌
,
巫艳
,
杨建荣
,
于梅芳
,
杜美容
,
乔怡敏
,
郭世平
,
何力
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.007
为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe 材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。
关键词:
ZnSe
,
MBE
,
生长控制
,
掺杂控制
王善忠
,
谢绳武
,
庞乾骏
,
郑杭
,
夏宇兴
,
姬荣斌
,
巫艳
,
李标
,
杨建荣
,
何力
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.017
为了证实某一研究结果的正确性，常常需要采用两种以上 相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红 外光谱技术和常用的Hall、C-V 等电学测量技术同时对MBE生长的 ZnSe:Cl,N薄膜中的载流子浓度进行评价研究， 发现电学法和光学法测 量的结果可以很好地吻合，从而确认了ZnSe宽禁带蓝绿色发光材料中 较高的掺杂水平。
关键词:
ZnSe:Cl,N单晶薄膜,载流子浓度,电学法测量,光 学法测量
顾惠明
,
杨建荣
,
陈新强
,
何力
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.012
用Everson腐蚀剂对CdZnTe晶体(111)B和(211)B面上的位错进行了腐蚀和观察,发现(111)B面上的腐蚀坑密度(EPD)值明显高于(211)B面上的EPD值,(111)B面上的EPD值与双晶衍射半峰宽有明显的依赖关系,(111)B面上的FWHM值随EPD的增加而增加.而(211)B面上的EPD则与材料的双晶衍射半峰宽无关.研究结果表明,用Everson腐蚀剂得到的EPD参数依赖于材料的晶体取向,在两种常用的晶体学取向中,(111)B面上得到的EPD能较为正确的反映CdZnTe材料中的位错密度.
关键词:
CdZnTe
,
位错
,
腐蚀法
,
布里奇曼法
,
衬底材料
盛锋锋
,
杨建荣
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.增刊(Ⅰ).009
通过观察和分析CdZnTe晶体中富Te和富Cd沉淀物在红外透射显微镜下的形貌特征,从实验上证实在正四面体或八面体结构的富Te沉淀物内部存在空洞.分析表明,和正四面体沉淀物相邻的CdZnTe材料表面为(111)B面,构成八面体的另外4个面为(111)A面,(111)B面为表面能密度最低的慢生长面.结合化学腐蚀的观察结果发现,红外透射显微镜下呈星状结构的富Cd沉淀物由中心区沉淀物和外围高密度位错集聚区构成,中心区沉淀物大多为不规则形状.通过分析〈111〉和〈110〉晶向上富Cd沉淀物的形貌特征,确定了星状结构的延伸方向为〈211〉晶向,高密度位错集聚区的大小比沉淀物尺寸大出数倍.对沉淀物与周边材料的作用机理也进行了分析.
关键词:
CdZnTe
,
缺陷
,
沉淀物
王庆学
,
魏彦锋
,
方维政
,
杨建荣
,
何力
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.025
采用高分辨 X射线衍射的倒易空间图研究了 HgCdTe/CdZnTe(- 0.044%晶格失配 )液相外 延材料界面处晶格结构,结果显示,通常使用的 10μ m厚的碲镉汞液相外延材料的晶格相对碲锌镉 衬底已处于完全弛豫状态,并且外延层和衬底的晶向发生了 0.01°的偏离,但是,由于外延层中存在 着组分梯度以及衬底和外延层热膨胀系数存在着差异,界面处外延层中仍存在着应力和应变.对 称衍射和非对称衍射的实验结果均显示外延材料的倒易空间图沿垂直于散射矢量方向有所扩展, 这一结果表明晶格失配的弛豫使得界面处外延层的晶体结构呈镶嵌结构.实验也发现,外延层的 非对称衍射倒易空间图的扩展偏离散射矢量方向,根据弛豫线模型,这也是由于界面处外延层存在 组分梯度和应变梯度所造成的.
关键词:
HgCdTe/CdZnTe
,
倒易空间图
,
弛豫线模型
