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碳纤维无催化剂法制备β-SiC纳米晶须

吴艳军 , 张亚非 , 杨忠学 , 吴建生

无机材料学报

介绍了使用碳纤维为固相碳源,无催化剂加入制备β-SiC纳米晶须的一种新方法. 制备了直径为10-40nm,长度为几个微米的纯度较高的β-SiC纳米晶须.讨论了这个制备方法的特点,并比较了几种不同制备方法的优缺点.同时分析了β-SiC纳米晶须的显微组织并探讨了其生长机理.研究表明,较高的生长温度、SiO和CO的局部过饱和蒸汽压是此方法能够大量制备β-SiC纳米晶须的关键因素.

关键词: SiC纳米晶须 , preparing technology , nano-electronic material

3D-C/SiC复合材料拉伸蠕变损伤和蠕变机理

乔生儒 , 杨忠学 , 韩栋 , 李玫

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2004.04.009

对3D-C/SiC复合材料进行拉伸蠕变试验,蠕变进行一段时间后,用扫描电子显微镜(SEM)观察试样表面的变化,同时测量试样的共振频率.结果表明,3D-C/SiC除通常CMC所产生的蠕变损伤外,纤维束滑动,纤维束之间的夹角变化,孔隙变形,部分孔隙表面空间位置改变,孔隙表面产生基体微裂纹,损伤在纤维束交叉处更为集中,这些可作为3D-C/SiC蠕变变形的独特机理.电阻和模量的相对变化与蠕变曲线相似,因此电阻和模量都可表征C/SiC材料的蠕变损伤,作为损伤变量.该材料的蠕变属于损伤引起.

关键词: 蠕变损伤机理 , 3D-C/SiC , 纤维束交叉处 , 模量 , 损伤表征

碳纤维无催化剂法制备β-SiC纳米晶须

吴艳军 , 张亚非 , 杨忠学 , 吴建生

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.03.036

介绍了使用碳纤维为固相碳源,无催化剂加入制备β-SiC纳米晶须的一种新方法.制备了直径为10～40nm,长度为几个微米的纯度较高的β-SiC纳米晶须.讨论了这个制备方法的特点,并比较了几种不同制备方法的优缺点.同时分析了β-SiC纳米晶须的显微组织并探讨了其生长机理.研究表明,较高的生长温度、SiO和CO的局部过饱和蒸汽压是此方法能够大量制备β-SiC纳米晶须的关键因素.

关键词: SiC纳米晶须 , 制备技术 , 纳米电子材料

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