李强
,
介万奇
,
傅莉
,
汪晓芹
,
查钢强
,
曾冬梅
,
杨戈
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.052
对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度.用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进行CZT晶片的C-V特性测试,结果表明钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,减小了漏电流.主要原因是在CZT表面钝化生成的TeO2氧化层增加接触势垒高度,并减小了电荷因隧道效应而穿过氧化层的几率.
关键词:
CZT晶体
,
PL谱
,
I-V特性
,
C-V特性
李强
,
介万奇
,
傅莉
,
汪晓芹
,
查钢强
,
杨戈
功能材料
对不同腐蚀、钝化表面处理的CZT晶片与Au接触的I-V特性进行了研究.用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1nm的TeO2氧化层.用Agilent 4339B高阻仪进行未腐蚀、腐蚀与腐蚀钝化的CZT晶片I-V特性测试,结果表明腐蚀和腐蚀钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,相应地减小了漏电流.
关键词:
Schottky接触
,
钝化
,
I-V特性
汪晓芹
,
介万奇
,
杨戈
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.006
采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对CdZnTe进行化学抛光,发现用2%Br2-MeOH腐蚀时速率平稳且易于控制,能有效去除表面划痕,获得光亮表面.AFM分析发现,抛光后表面粗糙度降低30%,平整度增加.XPS分析发现CdZnTe的(111)Cd极性面变成了富Te非极性表面.PL分析发现表面陷阱态密度降低,表面晶格的完整性增强.
关键词:
CdZnTe
,
化学抛光
,
腐蚀速率
,
平均粗糙度
,
表面组成
,
缺陷
