杨成绍
,
王志光
,
孙建荣
,
姚存峰
,
臧航
,
魏孔芳
,
缑洁
,
马艺准
,
申铁龙
,
盛彦斌
,
朱亚斌
,
庞立龙
,
李炳生
,
张洪华
,
付云翀
原子核物理评论
室温下,用94 MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×10~(11),1.0×10~(12)和1.0×10~(13) ions/cm~2.所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析.通过对比研究了纳米晶、非晶、单晶硅样品的光学带隙随Xe离子辐照量的变化.结果表明,不同结构的硅材料中Xe离子辐照引起的光学带隙变化规律差异显著:随着Xe离子辐照量的增加,单晶硅的光学带隙基本不变,非晶硅薄膜的光学带隙由初始的约1.78 eV逐渐减小到约1.54eV,而纳米晶硅薄膜的光学带隙则由初始的约1.50 eV快速增大至约1.81 eV,然后再减小至约1.67 eV.对硅材料结构影响辐照效应的机理进行了初步探讨.
关键词:
硅
,
薄膜
,
重离子辐照
,
光学带隙
魏孔芳
,
王志光
,
孙建荣
,
臧航
,
姚存峰
,
盛彦斌
,
马艺准
,
缑洁
,
卢子伟
,
申铁龙
,
杨成绍
原子核物理评论
采用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Si/[Fe(10 nm)/Nb(4 nm)/Fe(4 nm)/Nb(4 nm)]_2/[Fe(4nm)/Nb(4 nm)]_4多层膜.用2 MeV的Xe离子在室温下辐照多层膜.采用俄歇深度剖析、X射线衍射和振动样品磁强计分析辐照引起的多层膜元素分布、结构及磁性变化.AES深度剖析谱显示当辐照注量达到1.0×10~(14) ions/cm~2时,多层膜界面两侧元素开始混合;当辐照注量达到2.0×10~(16) ions/cm~2时,多层膜层状结构消失,Fe层与Nb层几乎完全混合.XRD谱显示,当辐照注量达到1.0×10~(14) ions/cm~2时,Nb的衍射峰和Fe的各衍射峰的峰位相对于标准卡片向小角方向偏移,这说明辐照引起Nb基和Fe基FeNb固溶体相的形成;当辐照注量大于1.0×10~(15) ions/cm~2时,辐照引起非晶相的出现.VSM测试显示,多层膜的磁性随着结构的变化而变化.在此实验基础上,对离子辐照引起界面混合现象的机理进行了探讨.
关键词:
离子辐照
,
Fe/Nb多层膜
,
AES深度剖面分析
,
XRD
,
VSM
臧航
,
王志光
,
魏孔芳
,
孙建荣
,
姚存峰
,
申铁龙
,
马艺准
,
杨成绍
,
庞立龙
,
朱亚斌
原子核物理评论
室温下用80 keV N离子注入ZnO薄膜样品,注量分别为5.0×10~(14),5.0×10~(15)和5.0×10~(16) ions/cm~2,然后用X射线衍射和透射电镜技术对样品的结构特性进行了表征.实验结果表明,由高度(002)择优取向的致密柱状晶构成的薄膜中,注入5.0×10~(15) ions/cm~2时,观测到缺陷生成和局域无序化现象,但薄膜总体结构仍保持柱状晶和(002)择优取向;随着注量的增大,晶格常数c和压应力呈增大趋势.对注入N离子对ZnO薄膜结构特性的影响机理进行了简单的讨论.
关键词:
ZnO薄膜
,
N离子注入
,
X射线衍射
,
透射电镜
林致远
,
马骏
,
林亮
,
杨成绍
,
邹志翔
,
黄寅虎
,
文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163105.0460
本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响.实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion7％、降低SS 3％、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果.顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性.
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
,
非晶硅
,
薄膜电晶体
,
双栅极
林致远
,
杨成绍
,
邹志翔
,
操彬彬
,
黄寅虎
,
文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0370
通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响.实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40％.推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低.对于H ADS产品,倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)可以具有更好的TFT特性表现.对现行HADS结构,在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低;对于倒反HADS结构,沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响.对于Poole-Frenkel区域,现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者较低Ioff[Vg=-20 V],下降达50％,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响.
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
,
非晶硅
,
薄膜电晶体
,
Poole-Frenkel
