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ZnO掺杂Li+陶瓷靶及溅射膜制备工艺研究

陈祝 , 张树人 , 杜善义 , 杨成韬 , 孙明霞 , 郑泽渔 , 李波 , 董加和

功能材料

利用固相反应成功地制备了直径为70mm,厚度为10~15mm的掺杂Li离子ZnO陶瓷靶材.研究了不同摩尔浓度的Li离子掺杂靶材,并对其绝缘电阻与损耗进行了分析比较,最终确定Li离子的最佳掺杂量为2.2l%(摩尔分数).同时通过在不同温度烧结试验、不同成型压力试验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并通过所制备的ZnO-Li0.022陶瓷靶,采用RF射频磁控溅射技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向、均匀、致密的ZnO薄膜.

关键词: 陶瓷靶 , 氧化锌薄膜 , 射频磁控溅射 , 择优取向

ZnO陶瓷靶制备及其薄膜 RF溅射工艺研究

陈祝 , 张树人 , 杜善义 , 杨成韬 , 郑泽渔 , 李波 , 孙明霞

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01011

利用固相反应制备了直径为70mm, 厚度为10~15mm高质量掺杂Li2CO2的ZnO陶瓷靶材, 实验了不同摩尔浓度的Li+掺杂对靶材性能的影响, 确定了最佳Li+掺杂量为2.2mol%, 同时通过在不同温度烧结实验、不同成型压力实验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺, 并采用所制备的ZnO-Li2.2%陶瓷靶和RF(射频磁控)技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向的ZnO薄膜, 其绝缘电阻率ρ为4.12×108Ω·cm, 达到了声表面波器件(SAW)的使用要求.

关键词: 陶瓷靶 , zinc oxide films , RF magnetron sputtering , preferred orientation

ZnO陶瓷靶制备及其薄膜RF溅射工艺研究

陈祝 , 张树人 , 杜善义 , 杨成韬 , 郑泽渔 , 李波 , 孙明霞

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.04.040

利用固相反应制备了直径为70mm,厚度为10~15mm高质量掺杂Li2CO2的ZnO陶瓷靶材,实验了不同摩尔浓度的Li+掺杂对靶材性能的影响,确定了最佳Li+掺杂量为2.2mol%,同时通过在不同温度烧结实验、不同成型压力实验确定了ZnO靶材制备的最佳工艺,并采用所制备的ZnO-Li2.2%陶瓷靶和RF(射频磁控)技术在Si(100)、玻璃(载玻片)、及Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备出高度c轴(002)择优取向的ZnO薄膜,其绝缘电阻率ρ为4.12×108Ω·cm,达到了声表面波器件(SAW)的使用要求.

关键词: 陶瓷靶 , 氧化锌薄膜 , 射频磁控溅射 , 择优取向

铁电薄膜极化反转电流的电场和温度特性研究

田召明 , 张树人 , 刘劲松 , 陈富贵 , 杨成韬

功能材料

应用铁电薄膜极化反转的KA模型,讨论了极化反转电流随电场和温度的变化关系.结果表明,极化反转电流随电场的增加而增加,极化反转时间在低电场时成指数关系下降,高电场时幂律关系下降;在居里温度附近,极化反转电流随温度增加而减小,温度远低于居里温度时,随温度增加而增加.

关键词: 极化反转 , KA模型 , 潜在核

层状磁电复合材料的研究进展

王磊 , 杨成韬 , 郑鸿 , 叶井红

材料导报

介绍了层状磁电复合材料的特点和研究进展,阐述了层状磁电复合材料的理论,并在此基础上探讨了磁电材料的发展趋势.

关键词: 磁电效应 , 层状结构 , 复合材料 , 压电 , 磁致伸缩

多层结构声表面波滤波器的研究进展

李健雄 , 杨成韬 , 王锐 , 张树人

材料导报

无线通讯系统向高频率、高可靠性的发展要求声表面波滤波器(SAWF)同时具备高声速、高机电耦合系数、低插入损耗、高温度稳定性,而多层结构SAWF能够满足这些要求,因此多层结构SAWF近年来引起了人们极大的关注,并取得了较大的进展.简述了SAWF的基本结构和原理,回顾了近年来多层结构SAWF的研究进展,包括理论研究和实验研究,展望了其今后的发展趋势.

关键词: 多层结构 , 声表面波滤波器 , 压电薄膜 , 金刚石

BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2四元系微波介质陶瓷

杨传仁 , 叶耀红 , 杨成韬 , 何进 , 游文南

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.1999.02.010

本文研究了Bi2O3、PbO及Sm2O3对BaO-Nd2O3-TiO2(简称BNT)系陶瓷材料微波性能的影响.实验表明,在BNT系材料中掺入Bi2O3或PbO可降低材料的频率温度系数τf,但同时也使材料的tgδ增大.采用Sm取代部分Nd,形成BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(简称BNST)四元系陶瓷材料,可有效降低材料的τf,改善频率温度稳定性,而不会降低材料的品质因素Q0.当Sm2O3∶Nd2O3=7∶3(mol比)时,可得到εr=80.80,tgδ=2.92×10-4(2.7GHz测),τf=23.63ppm/℃的高性能BNST四元系微波介质陶瓷材料.

关键词: 微波介质陶瓷 , 介质谐振器 , 钕钛钡 , 钐钛钡

铁电存储器集成工艺中关键技术研究进展

杨艳 , 张树人 , 刘敬松 , 杨成韬

材料导报

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器与传统的半导体存储器相比有很多优点,其关键集成工艺技术有铁电薄膜制备技术、电极制备、刻蚀技术、氢阻技术、金属互连技术、钝化技术.简要介绍了这些工艺技术的研究现状,并讨论了相关工艺对性能的影响.

关键词: 铁电薄膜 , 铁电存储器 , 集成工艺

Sol-gel独立前驱单体制备PZT铁电薄膜技术

陈祝 , 杨邦朝 , 杨成韬 , 张树人

功能材料

采用醋酸铅、硝酸氧锆(硝酸锆)、钛酸丁酯独立稳定的前驱单体,sol-gel法旋转涂膜技术制备了PZT铁电薄膜.研究了水的添加量对溶胶形成的影响,比较了不同的溶胶浓度、膜层结构(PT/PZT/PT Sandwich)及热处理工艺条件对薄膜结构、铁电性能的影响.

关键词: PZT , sol-gel法 , 前驱单体 , 铁电薄膜

薄膜体声波谐振器的研究进展

谢和平 , 张树人 , 杨成韬 , 张洪伟 , 叶井红

材料导报

薄膜体声波滤波器作为一种发展高频滤波器的全新解决方案,比声表面波滤波器(SAWF)、陶瓷介质滤波器具有更高的Q值,低的损耗和在高频时具备更高的功率承受能力.介绍了薄膜体声波谐振器的研究历史和研究概况,薄膜体声波谐振器的原理和3种典型结构,具体阐述了薄膜体声波谐振器的关键技术及其材料体系的要求.

关键词: 微电子机械系统 , 薄膜体声波谐振器 , SMR结构 , 悬空结构

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