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一种驱动MOS管工作在饱和区的硅基OLED微显示像素电路

戴爽 , 谢杉杉 , 陈鑫 , 杨春城 , 张健 , 赵毅 , 李传南

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163101.0097

硅基OLED微显示中为了在极小的像素面积内实现微小的OIED工作电流,其像素驱动电路的驱动MOS管一般工作在亚阈值区,存在OLED电流对驱动MOS管的阈值电压和栅源电压失配敏感、外围电路复杂等问题,如果驱动MOS管工作在饱和区则可避免这些问题,但为了获得微小的驱动电流,必须采用尺寸大的倒比MOS管,这又与极小的像素面积冲突.本文提出了一种采用脉宽调制(PWM)技术、驱动MOS管工作在饱和区的OLED微显示像素驱动电路,PWM信号减少了一帧内OLED的实际工作时间,OLED的脉冲电流变大,使驱动MOS倒比管的尺寸减小;由于PWM信号占空比小,同时实现了OLED微小的平均像素驱动电流和亮度.结果表明PWM信号占空比为3%时,实现的OLED驱动电流和像素亮度范围分别为27 pA~2.635 nA、2.19~225.1 cd/m2,同时采用双像素版图共用技术,在15μm×15 μm的像素面积内实现了像素驱动电路的版图设计.

关键词: 硅基OLED微显示 , 像素驱动电路 , 脉宽调制(PWM) , 驱动MOS管 , 饱和区

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