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ZnS晶体的化学气相沉积生长

杨曜源 , 李卫 , 张力强 , 蔡以超 , 王向阳 , 肖红涛 , 田鸿昌 , 东艳萍 , 方珍意 , 郝永亮

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.020

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70%以上.

关键词: 化学气相沉积法 , 硫化锌 , 红外材料

工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

杨曜源 , 蔡以超 , 东艳苹 , 张力强 , 王向阳 , 肖红涛 , 田鸿昌 , 李卫 , 郝永亮 , 方珍意

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.026

本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.

关键词: 红外材料 , ZnS , CVD , 沉积速率

低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究

周育先 , 方珍意 , 潘伟 , 杨曜源 , 张力强 , 王向阳 , 肖红涛

稀有金属材料与工程

以单质Zn,Se和H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为630℃~750℃,压力为300Pa~1000 Pa条件下制备出了性能优异的ZnSe多晶材料.性能测试表明,制备出的CVD ZnSe多晶材料在0.55 μm~22 μm,及8μm~14μm波段的平均透过率超过70%(1 mm厚),在3.39μm处的应力双折射为54 nm/cm.其光学透过性能与美国采用Zn和H2Se气体为原料制备出的CVD ZnSe多晶非常接近.

关键词: ZnSe , 红外 , 化学气相沉积 , CVD , 透过

CVD方法生长平面和曲面块状多晶硫化锌

王和明 , 蔡以超 , 杨曜源 , 东燕萍 , 王永杰 , 闫泽武

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.006

采用化学气相沉积方法成功地生长出硫化锌多晶红外光学材料.加工后的成品多晶硫化锌尺寸为直径150mm,厚度为6mm;既有曲面的整流罩,又有平面窗口,蒸镀多层防反膜.由于采用了自制的活性硫化氢为原料,以及较好的工艺生长条件,生长的硫化锌红外光学材料长波透射比达到理论值75%.镀多层防反膜以后,中、长红外波段透过率均有所提高,但镀膜技术还有待改进.文中对硫化锌的透过曲线进行了分析与比较,结果表明我们生长的硫化锌杂质较少,是红外透过率高的原因.文中还测试了硫化锌的其它主要性能.

关键词: CVD , 硫化锌 , 红外材料 , 块状多晶 , 红外光谱

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