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氢氧化镍/还原氧化石墨烯复合物的超级电容性能?

黄振楠 , 寇生中 , 金东东 , 杨杭生 , 张孝彬

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.05.017

采用共沉淀法制备了氢氧化镍/还原氧化石墨烯复合材料,并以此为电极研究了其超级电容性能.实验发现,六方氢氧化镍纳米片被成功插入到还原氧化石墨烯的层间,这有效抑制了还原氧化石墨烯和氢氧化镍的团聚,提高了电极的稳定性.当氢氧化镍和还原氧化石墨烯的质量比为5.5∶1时,显示了最佳的电化学性能:在-0.1~0.37 V 的电位窗口,1 A/g 的电流密度下,比电容高达1036 F/g;4 A/g 的电流密度下快速循环3000次后,仍然保持70%的比电容.

关键词: 超级电容器 , 氢氧化镍 , 还原氧化石墨烯

粘结剂对Mn—Ce/Ti—CNTs催化剂脱硝性能的影响

郑军伟 , 朱继 , 杨杭生 , 张孝彬

材料科学与工程学报

以溶胶凝胶法制备了纳米级的Mn-Ce/Ti-CNTs催化剂粉体,考察了有机膨润土,复合硅酸盐水泥,模数为3.6的硅酸钠以及这三种组合的粘结剂对板状催化剂的粘结度、防水性能和脱硝性能的影响。结果表明,单一复合硅酸盐水泥或硅酸钠粘结剂粘结度都不够,单一有机膨润土粘结剂防水性能差;随着粘结剂含量的增多,脱硝性能也相应降低;复合硅酸盐水泥对催化性能的影响小于硅酸钠。优化后得到,6(w)%有机膨润土+12(w)9,6复合硅酸盐水泥组合的粘结剂,不但能满足一定的粘结度和防水性能。而日拥有最好的脱硝件能。存175℃时,其脱硝忡能可诀80%。250℃的脱硝件能可诀98%以上。

关键词: 氧化锰复合催化剂 , 脱硝 , 粘结剂 , 溶胶凝胶法

TiO2纳米管阵列负载MnOx复合催化剂的脱硝性能

赵崇斌 , 杨杭生 , 周环 , 邱发敏 , 张孝彬

催化学报 doi:10.3724/SP.J.1088.2011.01127

研究了TiO2纳米管阵列负载的MnOx复合物选择性催化还原NOx的性能.结果显示,在150~250℃下该催化剂脱除NOx的效率达90%以上(200℃下为99%以上),表现出优异的中低温脱硝性能.当反应温度更高时,有可能使反应进入努森扩散控制状态,从而在一定程度上抑制了催化反应的进行.

关键词: 锰氧化物 , 二氧化钛纳米管阵列 , 氮氧化物 , 选择性催化还原

钴的价态对Co/Mo/MgO催化剂制备碳纳米管的影响

朱继 , 赵崇斌 , 陈爱丽 , 杨杭生 , 张孝彬

材料科学与工程学报

用溶胶凝胶煅烧法制备的Co/Mo/MgO催化剂中,除了形成Mg(Co)MoO4固溶体,一部分Co元素随着煅烧温度的提高,从Co3O4转变为CoO。在不同钴价态的催化剂上,用CVD法制备了碳纳米管。X射线衍射、电子显微镜、拉曼光谱和TGA表征显示,单壁碳纳米管可能是在Co3O4上生长的,多壁碳纳米管可能是在Mg(Co)MoO4上生长的,而在此场合下CoO并不是制备碳纳米管的有效催化剂。

关键词: 碳纳米管 , CVD , MgMoO4 , 氧化钴

阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列的形貌

谭志谋 , 王慧洁 , 杨杭生 , 张孝彬

材料科学与工程学报

采用阳极氧化法,以NH4 F-乙二醇-水溶液为电解质,在钛片上制备了TiO2纳米管阵列,并研究了电解电压和电极距离对TiO2多孔薄膜形貌的影响.结果表明,通过优化电解电压,可以调控二氧化钛纳米管阵列的内径在20~145nm之间;通过调节两电极间的间距,在金属钛片上制备了完整的二氧化钛纳米孔阵列.并采用有限元模拟二氧化钛层中的电流密度分布,探讨了二氧化钛纳米管阵列和纳米孔阵列的形成.

关键词: 二氧化钛纳米管阵列 , 二氧化钛纳米孔阵列 , 阳极氧化法 , 有限元分析 , 内径

立方氮化硼薄膜中的氧杂质

杨杭生 , 邱发敏 , 聂安民

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00748

采用等离子体增强化学气相生长技术制备立方氮化硼薄膜, 系统研究了背底真空度和生长过程中氧气的存在对立方氮化硼薄膜中氧杂质含量的影响. 发现把背底真空度提高至1×10-5 Pa仍然不能有效消除立方氮化硼薄膜中的氧杂质. 随着立方氮化硼薄膜中氧杂质的增加, 其红外吸收谱的Lorentz拟合发现, 在1230~1280 cm-1附近出现由氧原子与硼原子结合形成的B-O键的反对称伸缩振动引起的吸收峰. 该吸收峰的强度与薄膜中的氧杂质含量有较好的线性关系, 因此可以通过分析该吸收峰的强度半定量地测定立方氮化硼薄膜中的氧杂质含量.

关键词: 立方氮化硼薄膜 , plasma-enhanced CVD , infrared spectroscopy , oxygen impurity

立方氮化硼薄膜中的氧杂质

杨杭生 , 邱发敏 , 聂安民

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00748

采用等离子体增强化学气相生长技术制备立方氮化硼薄膜,系统研究了背底真空度和生长过程中氧气的存在对立方氮化硼薄膜中氧杂质含量的影响.发现把背底真空度提高至1×10-5Pa仍然不能有效消除立方氮化硼薄膜中的氧杂质.随着立方氮化硼薄膜中氧杂质的增加,其红外吸收谱的Lorentz拟合发现.在1230~1280 cm-1附近出现由氧原子与硼原子结合形成的B-O键的反对称伸缩振动引起的吸收峰.该吸收峰的强度与薄膜中的氧杂质含量有较好的线性关系,因此可以通过分析该吸收峰的强度半定量地测定立方氮化硼薄膜中的氧杂质含量.

关键词: 立方氮化硼薄膜 , 等离子体增强化学气相生长 , 红外光谱 , 氧杂质

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