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生长温度对GaxIn1-xP材料无序度的影响及其应用

常晓阳 , 尧舜 , 杨翠柏 , 张杨 , 陈丙振 , 张小宾 , 张奇灵 , 王智勇

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.05.002

采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长GaxIn1-xP外延层,探究不同生长温度对GaxIn1-xP材料的无序生长特性的影响.为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试,并修正由GaxIn1-xP材料组分改变引起的带隙偏移.最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高GaxIn1-xP材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5%.

关键词: GaxIn1-xP , 无序度 , 生长温度 , 太阳能电池

YSZ纳米粉料流延成型电解质薄膜性能研究

韩敏芳 , 彭苏萍 , 杨翠柏 , 王玉倩 , 李伯涛

功能材料

探索了以YSZ纳米粉体为原料,采用流延成型的方法制备YSZ电解质薄膜的工艺过程,具体探讨了不同粒度粉体流延后坯体的性能,结果表明,纳米范围内颗粒粒度粗可以获得致密度较高的坯体.但在烧结过程中,细粒度粉料表现出更好的性能,实验制备的YSZ电解质薄膜的面积比电阻在1123K,比德国D样品大幅度下降.573~1023K的阻抗谱显示出实验制备的YSZ电解质试样的晶粒、晶界和电极处的阻抗都明显降低,综合性能明显优于国外同类产品.流延成型工艺可以获得尺寸为100mm×100mm×0.125mm的8YSZ电解质薄片,这为平板式SOFC在中国的快速发展做好了材料上的准备.

关键词: YSZ纳米粉料 , 流延成型 , YSZ薄膜性能

氧化锆纳米粉体烧结性能研究

韩敏芳 , 彭苏萍 , 杨翠柏 , 刘泽 , 王军伟

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.01.008

为了研究纳米氧化锆粉体的烧结性能,以4种不同粒度的氧化锆粉体为原料,在热分析仪上测试了室温~1000℃范围内坯体的形变量和热膨胀性能.采用1450℃恒温1~6 h的烧结工艺,制备了氧化锆陶瓷,并进行了性能表征.结果表明:粉料1次粒子粒径越小,其初始烧结温度越低;粉料的团聚粒径越小,分布越窄,坯体的烧结致密化越容易.

关键词: 氧化锆纳米粉料 , 粒度分布 , 初烧温度 , 陶瓷致密化 , 烧结工艺

纳米粉体制备8YSZ电解质工艺性能研究

韩敏芳 , 彭苏萍 , 王玉倩 , 杨翠柏

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.005

实验研究了纳米粉体制备 8YSZ电解质的固相烧结过程.根据阿基米德原理测瓷体密度;通过测定烧结前后瓷片尺寸,求出烧结线收缩;采用四端电极法测瓷体的电导率;使用扫描电子显微镜(SEM)观测样品微观形貌,并探讨了 YSZ纳米粉体烧结的动力学过程.由于纳米颗粒尺寸较细、粒度分布均匀、无硬团聚和很好的球形度,使得烧结温度大幅度降低.实验表明,最佳烧结温度为 1450℃,此时材料致密,相对密度在 97%以上;气孔含量少、晶粒均匀,电导率高,1000℃时为0.162Ω-1cm-1,是理想的高温电解质材料.

关键词: 8YSZ电解质 , 纳米粉体 , 制备工艺 , 电导率

NiO-YSZ/YSZ复合梯度材料制备工艺与性能

韩敏芳 , 杨翠柏 , 李伯涛 , 彭苏萍

稀有金属材料与工程

探索了以NiO和YSZ微粉为原料,采用干压成型的方法制备NiO-YSZ/YSZ复合材料的工艺过程.实验结果表明:随着NiO含量的减少,实验样品收缩率和相对密度均逐渐增加;当NiO含量从46%(体积分数,下同)降为30%时,1400℃,1 h下得到的样品收缩率由17.6%逐渐增至21.8%,相对密度由64.04%增至75.93%;1450℃,2 h下得到的样品收缩率则由21.2%逐渐增至23.3%,相对密度也由66.9%增至74.2%.选用1400℃,1 h的烧结工艺能得到晶粒大小均匀,晶粒尺寸较小的复合材料.各复合层的收缩率差值在1%以上,即可造成不同程度的翘曲.要以干压成型制备NiO-YSZ/YSZ复合梯度材料,3层复合是远远不够的.复合梯度材料较好地改善电极与电解质间的界面接触状态,为其在燃料电池上的应用奠定了基础.

关键词: 固体氧化物燃料电池 , NiO-YSZ阳极 , 复合梯度材料

T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究

马泽宇 , 王晓亮 , 王翠梅 , 肖红领 , 杨翠柏

材料导报

从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%.结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合.计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw的长径比,并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关

关键词: T-ZnOw , 逾渗 , 复合材料

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