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直接敷铜工艺制备Cu/AlN材料的界面结构及结合性能

谢建军 , 王宇 , 汪暾 , 王亚黎 , 丁毛毛 , 李德善 , 翟甜蕾 , 林德宝 , 章蕾 , 吴志豪 , 施鹰

机械工程材料 doi:10.11973/jxgccl201701013

通过直接敷铜(DBC)工艺,在AlN陶瓷基板表面于1000~1060℃的敷接温度下制备Cu/AlN材料,利用机械剥离机、场发射扫描电子显微镜和X射线衍射仪分析了Cu/AlN的界面结合强度、界面微观形貌和物相组成.结果表明:铜箔和AlN陶瓷基板间的结合强度超过了8.00 N?mm-1,铜箔和AlN陶瓷之间存在厚度约为2μm的过渡层,过渡层中主要含有 Al2 O3、CuAlO2和Cu2 O 化合物;随着敷接温度升高,Cu/AlN的界面结合强度逐渐增大.

关键词: 表面金属化 , 直接敷铜工艺 , AlN陶瓷 , 界面结合强度

Ce,Pr离子双掺LuAG透明陶瓷制备及光学性能

周鼎 , 施鹰 , 范灵聪 , 林德宝 , 孙泽清 , 徐家跃

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160223

以NH4OH+NH4HCO3混合溶液作为复合沉淀剂,利用反向滴定共沉淀法制备了不同浓度Ce,Pr共掺杂LuAG沉淀前驱体,并研究了Pr掺杂浓度为0.25at%,Ce掺杂浓度分别为0、0.1at%、0.2at%和0.3at%的LuAG透明陶瓷的光学性能.沉淀前驱体经马弗炉1200℃煅烧2h后所得粉体的分散性较好,一次颗粒尺寸约为60 nm.该粉体经干压和冷等静压成型后,在H2气氛1800℃下烧结6h制备出透明陶瓷,经双面抛光后透明陶瓷在800 nm波长处直线透过率达到82%.X射线激发的发射光谱表明,共掺使Pr离子5d-4f的发射能量传递给Ce离子,有助于提高LuAG透明陶瓷在550砌发光中心的发光强度.0.2at%Ce和0.25at%Pr共掺杂时,透明陶瓷的发光强度达到最大.

关键词: Ce离子 , Pr离子 , LuAG透明陶瓷 , 光学性能

Ce、Pr共掺LSO多晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能

张晓欣 , 谢建军 , 范灵聪 , 林德宝 , 陈旭 , 施鹰

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150500

采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+、pr3+共掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)对(Ce,Pr):Lu2SiO5薄膜的物相、表面形貌及发光性质进行了研究和表征.结果表明:薄膜样品在1000℃下形成了A-Lu2SiO5纯相;在1100℃下形成了B-Lu2SiO5纯相.经1100℃煅烧后,通过SEM可以观察到薄膜表面均匀、平整、无裂纹,晶粒大小为200~300 nm,旋涂10层的薄膜厚度约为320 nm.从PL谱中可以发现:在共掺杂体系里,pr3+在跃迁过程中,有一部分能量传递给Ce3+离子,使Ce3+产生特征能级跃迁,并且使Ce3+发射强度比单掺杂Ce3+时的发射强度更强.

关键词: 溶胶-凝胶法 , LSO薄膜 , 发光 , 旋涂法 , Ce3+,pr3+共掺杂

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