楼均辉
,
林明通
,
陈国荣
,
杨云霞
,
肖田
,
陈晨曦
材料导报
采用射频磁控溅射法在ITO/Corning1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3介电薄膜,研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响.实验表明,随着沉积温度的升高,薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加,击穿场强下降.对于在500℃下沉积的薄膜在550～700℃、1.8×10-2Pa氧气氛中进行30min退火处理,结果发现在550℃和600℃下热处理介电损耗有所改善,其它参数都劣化;在650℃和700℃下热处理介电常数显著增加,其它性能都变差.
关键词:
Ba0.5Sr0.5TiO3
,
薄膜
,
介电性能
,
沉积温度
,
退火处理
肖田
,
林明通
,
徐毅
,
陈晨曦
,
陈国荣
,
杨云霞
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.005
用rf和反应磁控溅射法成功制备了一种总厚度为530～730nm的SrTiO3/Ta2O5复合介电层,获得在500Hz下介电常数为48～73,反映介电损耗的参数ΔVy在0.06～0.15V之间,击穿场强为106～139MV/m,在0.05V/nm的电场下正、反向漏电流在10-9～10-7A/cm2之间,品质因子(εrεoEb)大于5μc/cm2.同时比较了SrTiO3/Ta2O5复合介电层和SrTiO3和Ta2O5单层薄膜的介电性能.把复合膜应用于以ZnS:Mn和Zn2Si0.5Ge0.5O4:Mn为发光材料的器件中,获得了适当的阈值电压和较高的亮度.
关键词:
无机EL
,
SrTiO3薄膜
,
Ta2O5薄膜
,
SrTiO3/Ta2O5复合膜
林明通
,
蒋丹宇
,
汪霖
,
阮美玲
,
施剑林
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.014
研究了一种以YAG为晶界相和理论初始α/β比率为65/35的Y-c-β复相sialon在温度1250～1350°C和应力110～290MPa的四点弯曲蠕变行为,得出在1250、1300、1350°C下的应力指数分别为1.31、1.49、1.62,蠕变激活能为677kJ.mol-1,显微结构观察表明几乎所有的空洞都位于多晶界,从而推断伴随着多晶界空洞形成的扩散-滑移耦联机制是蠕变的速率控制机制.Monkman-Grant关系式得出的蠕变速率指数p值为1.6,蠕变断裂是由多三晶界空洞的成核、生长、聚结和连接引起的.
关键词:
复相sialon
,
蠕变
,
显微结构
,
氧化
,
相变
黄浩
,
肖田
,
张羿
,
林明通
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.014
开发高可靠性的绝缘层薄膜几十年来一直是TFEL显示器研制中的重要努力方向之一.采用双靶脉冲电子束蒸发法制备了Al2O3/TiO2单元结构为10 nm/10 nm、20 nm/20 nm、40 nm/40 nm、总厚度约600 nm的多层复合薄膜,同时采用共蒸发法制备了800 nm的AlxTiyOz复合薄膜,研究了它们的介电性能,并与Al2O3、TiO2单层膜的介电性能做了比较,最后将性能较优的AlxTiyOz薄膜应用到ZnS:Mn TFEL器件中.Al2O3/TiO2多层复合膜随着结构单元中Al2O3、TiO2厚度由10 nm增至40 nm,介电常数由20.2减小到16.1,击穿场强由154 MV/m增至174 MV/m,反映介电损耗的参数ΔVy由0.09 V降为0.04 V,在50 MV/m下漏电流密度由1×10-6 A/cm2增至1×10-4 A/cm2,品质因子由2.62 μC/cm2降为2.46 μC/cm2.AlxTiyOz薄膜的品质因子大于3.6 μC/cm2,应用于ZnS:Mn TFEL器件中获得在200 Hz下较高的L50(58 cd·m-2)、很低的阈值电压(60～70 V),而且各个像素的L-V性能有很好的重复性.
关键词:
电子束蒸发
,
Al2O3-TiO2复合膜
,
介电性能
,
ZnS:Mn器件
